分析三种新型半导体发光材料对半导体照明的应用

　　1）作为新一代宽禁带半导体,GaN,SiC,ZnO的共同特点是它们的禁带宽度在3.3到3.5eV之间,是Si的三倍,GaAs的两倍.由于它们的一些特殊性质和潜在应用而备受关注。

　　2）GaN及其相关的固熔体合金可以实现带隙1.9eV(InN)到6.2eV(AlN)连续可调,是实现整个可见光波段和紫外光波段发光和制作短波长半导体激光器的理想材料。目前GaN材料的研制工作已取相当成功，并进入了实用化阶段。一旦GaN在衬底等关键技术领域取得突破，其产业化进程将会取得长足发展，有望在将来取代传统的白炽灯,成为主要的照明工具。

　　3）SiC和ZnO体单晶不但具有优异的光学、电学等性质,还具有其它材料无法比拟的优势——同质外延,预计亮度将是GaNLED的10倍而价格和能耗则只有1/10。随着对半导体材料性能的不断探索,进一步完善材料作用原理和器件工艺水平,碳化硅和氧化锌会是将来紫光LED的主要材料。