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实现LED恒定电流的渐进启动/停止电路技术

作者: 时间:2012-12-09 来源:网络 收藏
用晶体管Q1和相连网络实现。电阻R2形成最大参考电流,从而实现最大正向电流流入。基本上,启动信号用于对连接在晶体管Q1基极/接地之间的电容C1进行指数式充电。一旦电压达到晶体管Vbe时,集电极电流流过,强制参考电流斜率根据R1/C1网络达到所需的时间。最后,Q1集电极电压受NCP5604提供的恒定电压钳制,参考电流为(Vref-Vcesat)/R2。一般来说,集电极/发射极压降较小(范围是50 mV),在无高精度要求的应用中可以忽略。  ‖

但是,计算外部电阻器时将其纳入考虑范围可适当补偿这种压降。PSPICE模型捕捉的波形展示了这种电路特性(图4)。

PSPICE模型捕捉的波形

可以看到,关闭时的曲线比打开时平缓,原因是两个时间段的参考电压有很大不同。尽管这并非关键性问题,但一些应用可能需要更对称的时序,可以将额外电阻连接到小信号二极管来实现。图6根据图5 PSPICE基本电路图给出了波形,说明了通过接入D2和R8可以实现的性能。

典型应用如图7所示,时序可以调整,以便应对不同的状态。任何情况下,延迟电容(图7电路图中的C5)必须为陶瓷型,以减小漏电流,低成本的电解电容不适合在这应用。如前所述,无需MCU的额外输入/输出即可激发渐进时序,启动信号即可实现两种功能。

另一方面,电流参考电阻(图7电路图中的R3)减小到5.6 kΩ时,可补偿晶体管Q1的Vcesat。

图8、图9中的波形说明了采用Rb=1.3 MΩ/Cbe=2.2mF产生软启动时,输出至4个的电流均为25 mA。当然,通过调整Rb/Cbe网络可以增加或减小斜升延迟。但1.5 MΩ以上的Rb值将造成系统对环境噪声敏感。如前所述,Cbe电容不可采用低成本电解电容,必须采用陶瓷型电容,以实现所期望的长时序。

可以采用小信号NMOS器件替代外部晶体管Q1,如BSS138。由于门极输入不吸收电流,可以产生更大时延。虽然还可以采用更小的器件运行这种应用,但必须避免所选NMOS的大Rdson造成的非受控工作电流。实际上,对于Rdson额定值为5000Ω的器件,上述参数变化



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