透明ZnO电极使氮化物LED更加明亮

SMI的ZnO MOCVD反应器
Structured Materials Industries公司生产ZnO反应器的特征为：高速旋转的圆盘具有各种各样的尺寸，分别为1×1、1×2、3×2、6×2、8×2、19×2和38×2英寸。这些可旋转的CVD设备使用一个均匀加热的沉积平台来生长大面积的均匀薄膜，薄膜的沉积速率为每分钟10-20nm。
这种均匀的薄膜沉积来自于四带加热系统，它与高温、热膨胀和氧化环境等关联ZnO生长的条件相兼容。利用这种设计，最大的反应器也能够在晶片上获得均匀的温度，晶片温度不均匀性不超过1%，能够产生的掺杂和未掺杂薄膜，其厚度变化幅度低于4%，而且即使是一个炉中出来的晶片，片与片之间的厚度不均匀性低于5%。
LED电极的ZnO生长条件为：生长压力为0.05个大气压；温度范围从450℃到650℃；二乙基锌、三甲基铝和氧气的流速分别是80、15和200标准立方厘米每分钟（sccm），用来提供Zn源、Al掺杂剂和O源。氩气的流速范围从4000到7000sccm，用来作为惰性运载气体。将源材料按照一个呈放射形状分布进行均匀注入，采用方向向下的运输气流，从而获得了高质量的薄膜生长。
图. 电阻加热被用在反应器中，伴随着旋转速度为每分钟上百个的圆盘。这个多晶片生长设备能够在硅、石英和GaN上沉积ZnO。