工程师分享:反激变压器电感线圈详细的设计步骤(二)
设计的要点:图表读取的补正
・纵轴为每单位体积的磁芯损耗,因此要在从此图表中所得到的值中加上实际使用的磁芯的实效体积。
・从此图表中所得到的磁芯损耗,要将在磁束变动为正弦波状的情况下做为前提。磁束密度是在三角波形中变动的反激变压器时,与从图表中所得到的数据相比,损失会变大。
・从此图表中所得到的磁芯损耗,要将磁束密度周期性正负两方向变动的情况作为前提。当磁束的方向为一方向,而且是增减的比率较少的反激变压器时,与在此图表中所得出的数据相比,损耗会变小。
设计的要点:磁芯损失的标准
・磁芯损失的标准是以定格输出功力的2~3%为标准。但是,由于冷却条件,即使超出此范围也没有问题。另外,输出功力较大的情况下,与此标准相比,需要更减低比率。
接下来,如图1-9所示,使用根据磁芯厂家的数据表所提供的温度上升-总损耗特性图表等,算出容许最大损失。用此值来判定在以上算出的磁芯损失是否正确。图1-9,比如说在周围温度50℃的条件下,希望在90℃以下使用磁芯的温度时,容许最大损失为1.4W以下。
算出二次侧卷线卷数・线径(基本设计步骤-变压器构造设计)
以在1.2.2項中算出的卷线比为基准,从在1.3.3.2项中算出的一次卷线卷数算出二次卷线卷数。
二次卷线线径与在1.3.3.2项中算出的一次卷线线径相同,用以下公式算出。对于其它注意点,参照1.3.3.2项。
算出 半导体元器件耐压(基本设计步骤)
求出图1-10中的开关元器件Q1、整流元器件D1的耐压。
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