基于L6562的高功率因数boost电路的设计
设Ku=0.3,δBmax=0.3T,由(4)式计算得:
AP_req(min)=6.64×10-10m4
这样,可选择磁芯EE16/6/5,其AP=7.5×10-10m4,可满足设计要求;而由(5)式计算得Np=218.1匝,取215匝,并验证δBmax=0.304T,气隙lgap=0.41 mm。
根据以上计算参数所搭建的试验模型来进行的结果如图6所示。
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由图6可见,输入电流能良好的跟随输入电压,且电流电压相位差接近于零,故可实现高功率因数的控制。另外,MOSFET的电流是一种高频三角波,其包络为输入电压。由于MOSFET可实现软开关,能有效减小开关损耗。根据测试结果,该电路的PF可达0.998以上,THD在5%以下。
5 结束语
本文基于L6562芯片设计了Boost高功率因数电路,并引用AP法则设计其关键元器件——Boost电感。经试验验证,该电路启动电流小,外围元器件少,成本低廉,能同时满足电源系统重量轻,稳定性好,可靠性高等要求。实验证明,AP法则是一种快速准确的设计方法。
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