ISO72x系列数字隔离器的高压使用寿命

3 中所绘制的 TDDB E－模式，表 2 总结了不同 VIORM (Vpeak) 值情况下的使用寿命预测。

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　　5、2 模型比较

　　与 E－模式的使用不同，其它同类竞争产品通常使用一个与其数据相匹配的任意拟合 (fit)，其并非基于任何物理介电层退化模型。如图 4 中所示的功率拟合就是其中的一个实例。图 3 中使用的相同数据在此处被绘制出来，通过使用一条如图 4 所示的功率曲线产生出一条最佳拟合趋势线。正如我们能看到的那样，通过使用这种方法有望获得更长的使用寿命。将已发布的电感耦合器件的同类竞争产品数据（也是在 10-ppm 水平时的数据）包括在内，以进行对比。通过使用以年为单位的时间刻度来发布竞争产品数据；因此，图 4 中，将这些单位从年转换到秒，以进行比较。TI 优先选择 TDDB E－模式是因为这种模式较为可靠，而且与其他模式或者最佳数据拟合方法相比较，其可以带来高可信度的预测。

　　输入至输出电压-Vrms

　　注释：3E+0.8秒=10 年

　　图 4、基于最佳曲线拟合的高压使用寿命

　　6、结论

　　在 560V 的工作电压下，ISO72x系列产品可以安全工作超过 25 年。结果还表明，隔离层是稳健的，并且可以经受高达 4000 Vpeak 或 2828 Vrms 的多种高压击穿情况（如 VIOTM 额定电压规定的那样）。

　　7、参考书目

　　1、《在长期/低场测试条件下，SiO2 的 E 模型与 1/E TDDB 模型的比较》，作者： TI 和加州大学伯克莱分校 (University of California at Berkeley) 的 McPherson、Vijay Reddy、Kaustav Banerjee 以及 Huy Le，IEDM 98-171-174。

　　2、《集成电路中低 K 互连介电层击穿的可靠性分析方法》，作者： G.S. Haase、E.T. Ogawa 以及 Joe McPherson，98 应用物理期刊， 34503-34514（2005 年版）

　　3、《国际可靠性物理座谈会》，作者：A. Berman，IEEE 1981 年版，第 204 页

　　4、《国际可靠性物理座谈会》，作者：Joe McPherson 和 D. Baglee，IEEE 1985 年版，第 1 页

　　5、《84 应用物理期刊》，作者：Joe McPherson and H.C. Mogul，1513（1984 年版）

　　6、《统一的栅极氧化层可靠性模型》，作者：加利福尼亚大学伯克莱分校 (University of California at Berkeley) 的 Chenming Hu 与 Qiang Lu，IEDM 99-445-448

　　7、《超薄二氧化硅中经时击穿的统一模型》，作者：松下电子公司 (Matsushita Electronics Corporation) 的 Kenji Okada 与 Kenji Yoneda；IEEE 99CH36296，1999 年加利福尼亚州圣地亚哥第 37 届国际可靠性物理座谈会

　　8、《HCPL-0721 产品说明书》，安华高科技

　　9、《iCoupler 隔离技术：去除那些令人头痛的光学耦合器》，美国模拟器件公司

　　10、《ADuM1100 产品说明书（修订版 E）》，美国模拟器件公司

　　11、《ISO72x产品说明书》，TI (SLLS629)

　　12、《针对工程人员的概率统计（第三版）》，作者：Irwin Miller、John E. Freund， Prentice Hall ISBN，0-13-711938-0

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