测量并抑制存储器件中的软误差研究

随着加工工艺尺寸的日益缩小，“软”误差对存储器件的影响已经从原先的“无关紧要”演变成为系统设计中需要加以认真考虑的重要事项。赛普拉斯等SRAM售主已经在工艺开发和产品设计当中采取了相应的对策，以求最大限度地降低器件对SER的敏感度，并由此将SRAM的应用范围扩展到远远小于90nm的工艺几何尺寸。凭借在系统设计和产品设计水平的正确对策，SRAM仍将是多代工艺中一种可行的存储器解决方案。