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UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

作者: 时间:2012-03-15 来源:网络 收藏
5 应用实例

  图4给出了应用于推挽正激的驱动电路:


  (a)为运用UCC27321的光耦隔离驱动。由于上管和下管不共地,为了实现电气上的隔离,在UC3525的输出与UCC27321的输入之间增加了快速光耦隔离芯片HCPL4504。采用光耦隔离,使得外围电路简单,设计较容易,但需两路激励电源。

  (b)为传统推挽变压器隔离驱动,由于采用变压器实现电气隔离,进行电流、电压变换,应用范围较广。但缺点是体积重量较大,驱动变压器容易激磁饱和,设计相对困难。

  实验中所采用的MOSFET为IRFP460,其典型参数为:Ciss=4.1nF;Qg=120nC;VDS=500V;ID=20A;VGS=±20V。 测试电路为图4所示电路,开关频率为50kHz。从导通和关断时间来看:采用推挽式驱动电路时,开关管的导通时间和关断时间将近为180ns;而采用UCC27321驱动芯片后,导通时间仅为80ns,关断时间则为70ns。从波形(见图5)来看:采用UCC27321驱动芯片后,功率管开通时,驱动电路提供的栅极电压具有快速的上升沿,并一开始有一定的过冲;关断瞬时,提供了较大的反压,使管子可靠关断,开关管的导通特性和关断特性明显改善。所以采用UCC27321驱动芯片构成的驱动电路,开关管的开通和关断损耗都将会大大减小。



6 结论

  通过实验验证UCC27321驱动芯片具有良好的驱动特性,能快速驱动MOSFET,从而减小了开通和关断损耗。同时,通过设置使能端能设计出性能优异的保护电路,具有外围电路简洁,实现电源,输入、输出地之间的,可靠性高等优点。能很好地应用于高速MOSFET的驱动电路设计。


参考文献:

[1]张占松,蔡宣三编著,《开关电源的原理与设计》,电子工业出版社,北京,1998。

[2]. SEM-1400, Topic 2, A Design and Application Guide for High Speed Power MOSFET Gate Drive Circuits,TI Literature No. SLUP133

[3]. U–137, Practical Considerations in High Performance MOSFET, IGBT and MCT Gate Drive Circuits, by Bill Andreycak, TI Literature No. SLUA105

[4]. Technical Brief, PowerPad Thermally Enhanced Package, TI Literature No. SLMA002

[5]. Application Brief, PowerPAD Made Easy, TI Literature No. SLMA004
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