一种新型超快速软恢复外延二极管

作者：时间：2012-03-15 来源：网络收藏

4.应用实例

本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/230961.htm

我们提供样品APT8DQ60K应用在客户500W单相UPS的PFC中，如下：

图8 500W输出的PFC电路

测试内容包括系统的EMI，FRED和MOSFET的电压，电流和温升。

图9 APT8DQ60K的实际波形

上图为APT8DQ60K在电路中的波形。电流波形由于示波器的展开有些失真；电压波形基本可以看出无任何的振荡或过冲现象，不需要任何的吸收电路，降低成本。

图10 EMI测试波形

上图为客户原先使用的常规二极管和APT8DQ60K的EMI水平扫描波形。可以明显看出，软恢复的二极管在抑制EMI方面有良好的性能。

PFC二极管	EMI(裕量/dB)		温度(℃)
PFC二极管	垂直	水平	FRED	MOS
Non-Soft FRED 4A/600V	0.3	-1.8	92.9	86.9
Competitor A 4A Soft FRED	15.4	11.0	81.5	45.9
Competitor A 8A Soft FRED	13.3	13.8	74.1	45.7
APT8DQ60K	18.9	16.0	67.7	45.2

表2 500W PFC主要参数测量

上表为主要测试参数的对比。可以明显看出，同样是4A/600V的管子，软恢复的FRED能够降低系统的EMI问题，降低FRED和MOS的温升，提高系统效率。8A的FRED可以降低自己本身的损耗。相对于竞争对手A的二极管，APTDQ60K在降低本身损耗，降低系统EMI有更加明显的效果。

5.结论

基于如上的参数描述和测试数据，我们可以更好地理解Microsemi公司DQ系列二极管具有低漏电流，高雪崩耐量，超快速软恢复，最高节温可达175⁰C等优点，并能理解这些优点对用户的产品设计有降低系统EMI和成本，提高系统效率和可靠性等方面的优点。用户在选择二极管的时候应该综合考虑t_rr，Q_rr，I_RRM等参数和其测试条件。

目前Microsemi公司DQ系列的产品有600V，1000V，1200V三个电压等级，全部产品都已经满足RoHS，为无铅产品。分立封装的电流额定范围为8-100A。这个二极管芯片也应用在Microsemi公司的IGBT中作为反并联续流用二极管来提高IGBT产品在桥式变换器中的可靠应用。在IGBT，MOSFET模块产品中也应用了这个系列的二极管。

600V的DQ二极管可以应用在各种开关电源的BOOST拓扑的PFC当中，如通信电源，UPS，电子镇流器中，也可以用在单相交流输入或低直流电压输入产品的逆变器中作为续流二极管，如便携式单相焊机，太阳能逆变器等。1000V，1200V可以应用在三相交流输入产品的桥式变换器中，如感应加热，UPS，焊机等。

参考文献：
1. “Defining Diode Data Sheet Parameters”，APT0301，Microsemi Corporation
2. “APT DQ FRED Technology”, Shanqi Zhao, Advanced Power Technology
3. “Power Electronics”, Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P, Robbins