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IGBT强驱动电路的设计及电流尖峰抑制方案

作者: 时间:2012-03-12 来源:网络 收藏
的大小一般通过多次实验来确定。这个电容大小的选择既要考虑使脉冲上升沿较陡,又不出现尖峰。

已在中频脉冲渗碳电源中应用,配合器件过流过压保护电路,能较好地满足200 A/1 200 VIGBT模块的驱动要求。同时对驱动大功率的MOSFET等场驱动开关管都有很好的借鉴作用。

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