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混合型多电平逆变器电路设计研究

作者: 时间:2012-03-07 来源:网络 收藏
 选择高阻断能力器件(如IGCT、GTO)或选择二极管箝位型逆变单元作为高压逆变单元(如二极管箝位型三电平或五电平结构)。这两种方法均可克服高压单元功率器件电压应力过高的问题,但由于高阻断能力的功率器件成本高、开关频率低,从而影响了系统的成本及输出波形的质量,而在逆变单元电压等级一定的情况下,NPC逆变臂功率器件的电压应力却是H桥单元的一半,可以显著降低功率器件的电压应力。因此,选择二极管箝位型逆变单元作为高压逆变单元是一种更加值得推荐的方法。

  (2)消除低压单元电流倒灌问题

  由于混合型逆变器在选取电压比较大时,会产生电流倒灌现象,因此在设计过程中,可选取适当的电压比以提供消除电流倒灌现象所需的冗余状态,并使得各电平台阶阶跃也限定在1E之内。以图2(b)电路为例,采用Matlab对该电路进行了仿真,仿真结果如图3,其中调制波频率为50Hz。根据公式(1)可知,两逆变单元电压关系可为Uc1=3Uc2 =3.3kV和Uc1=2Uc2 =3.0kV两种情况,相电压Vao输出分别为9电平和7电平(如图3(a)),两种情况单元1和单元2输出电压波形如图3(b)和图3(c)。从图3(c)可看出,当Uc1=3Uc2,单元1输出电压为正时,单元2输出电压为1.1kV、0kV、-1.1kV三种情况,在单元2输出-1.1kV时,则会与单元1输出3.3kV电压形成环流,出现电流倒灌现象,降低了逆变器输出功率,并导致单元2直流侧电位平衡,增加了输出相电压Vao的谐波含量(如图3(d)所示,THD为6.58%),降低了Vao的质量;而Uc1=2Uc2时,虽然Vao为7电平,但从图3(b) 与图3(c)看出,不会出现电流倒灌现象,Vao的THD降至3.51%。



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