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第二代数字电容隔离器定义高性能新标准

作者: 时间:2011-01-12 来源:网络 收藏

  相比四通道隔离器,图示结果有所改善。通道数为原来的两倍,因此电感隔离器的电流消耗也增加了一倍,然而相比双通道隔离器,四通道电容隔离器的通道数仅增加了一条。出现这种结果的原因是,仅使用了一条DC-通道,其在四条AC-通道之间得到多路传输(请参见图4)。DC通道仍然拥有高可靠性的同时,总电流消耗维持在最低水平,从而比双通道版本仅有最低限度的增加。

第二代数字电容隔离器定义高性能新标准(电子工程专辑)
图4:双信道及四信道电容隔离器的通道结构。

  四通道隔离器用于隔离包括数据和控制线路的接口(例如:SPI),其数据速率一般可达20到80Mbps。电感和电容隔离器之间的电流消耗在30Mbps下时已经有10mA以上的差别,在如100Mbps等更高数据速率下时这一差别可高达40mA。

  因此,它其实并非重要的DC电流,而是数据速率的电流增加,即斜率Δi/Δf。

预计使用寿命

  隔离器的预计使用寿命由经时击穿(TDDB)决定,其为一种二氧化硅等电介质材料的重要故障模式。由于制造带来的杂质和不完整性缺陷,电介质会随时间而退化。这种退化会由于电介质上施加的电场及其温度的上升而加快。

  预计使用寿命的确定是基于TDDB E模型,其为一种广受认可的电介质击穿模型。

  实际上,周围温度维持在150oC时,TDDB由隔离器的施加应力电压决定(请参见图5)。测试之初便激活一个计时器,其在隔离器电流超出1mA时停止,表明电介质击穿。记录每个测试电压的故障时间,并根据理论E模型曲线进行绘图。

第二代数字电容隔离器定义高性能新标准(电子工程专辑)
图5:TDDB测试方法。

  图6所示的TDDB曲线表明,电容隔离器的测试数据(时间为5年)完全匹配E模型预测,从而得出在400 Vrms(560 Vpk)工作电压下28年的预计使用寿命,而相同电压下电感隔离器的预计使用寿命则小于10年。TDDB曲线还表明,在700V和2.5kV之间电容隔离器的寿命比电感隔离器长约10倍。

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图6:电容和电感隔离器的预计使用寿命。

  若要达到10到30年的工业预计使用寿命,使用SiO2电介质的电容隔离器是实现这个目标唯一可行的解决方案。

本文小结

  因其高可靠性、低电流消耗、高带宽和长使用寿命,数字电容隔离器具有优异的性能。TI提供各种各样的数字电容隔离器,包括隔离总线收发器和新一代电容隔离器。

隔离器相关文章:隔离器原理

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