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DDR测试--SDRAM时钟分析案例

作者: 时间:2012-04-10 来源:网络 收藏


几天后,我们在实验室重新测试了该系统的时钟,测试仪器为SDA816Zi(带宽16G,采样率40G),探头为ZS1500(带宽1.5GHz)。由于待测试信号频率仅为100MHz,所以通常1G以上示波器和探头足以满足需求(注:对于某些上升时间很快的时钟,比如PCIExpress的100MHz时钟,1GHz的带宽是不够的,需要更高带宽的示波器)。下图2左图为未作端接时在芯片端测量时钟波形,右图为靠近颗粒并联100欧电阻后的波形,两者相比,前者的过冲高达7.8V,电路板不能正常工作;而后者过冲较小,电路板可以正常工作。


尽管并联了100欧电阻后电路板能正常工作了,但是接收端测量到的峰峰值高达6.2V,对于芯片3.3V的工作电压来讲还是比较大的,长期工作可能会导致内存芯片出问题,所以,我们还需改进端接策略。在信号完整性书籍中,通常有串联匹配、并联匹配、RC网络、戴维南网络等端接方法,如下图3所示。相比并联匹配,串联匹配不用提供DC电流到地或者电源,不会对输出的高低电平产生影响,能减小过冲和EMI,所以我们接着尝试串联匹配下的信号质量。

由于电路中ARM的MCU输出的一路100MHz时钟要驱动两个SDRAM芯片,布线上MCU出来的时钟刚出来就分成两路后连向两个SDRAM的时钟引脚,所以我们采用了在两路时钟分支上同时串联100欧电阻加并联10pf电容的端接方法。在PCB上割线,焊上电阻和电容后测量的结果如下图4所示,改进后的时钟峰峰值为3.44V,波形无过冲,信号质量良好。电路板系统运行正常。



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