电源测试之-MOSFET开关轨迹线的示波器重现方法

同样的方法，可以观察到MOSFET的关断轨迹线。关断前，漏极电流正处于峰值电流出(此时，MOSFET的状态正处于开关轨迹线的C点)。关断过程中，漏极电流下降的同时，漏源极电压上升，从图5.b上看，表现为关断轨迹线位置很高。MOSFET是硬关断，关断损耗很大。并且，变压器原边漏感中的能量对 MOSFET造成很大的电压冲击。

利用开关轨迹线减小开关损耗

由以上分析可知，开关轨迹线可以直观地反映MOSFET地开关损耗。我们总是希望MOSFET的开关损耗尽可能减小，为此，我们常常在MOSFET周围添加一些辅助电路，开关轨迹线可以帮助我们评估改善的效果。

以图示的回扫电路为例，为了改善MOSFET的关断轨迹，在变压器原边绕组两端并联RC缓冲支路(如图6)，限制MOSFET关断时漏极电压的上升速度。

图6中所示，R=1kΩ，C=200pF，图7a~d为加入RC电路后的开关轨迹线。与之前的开关轨迹线相比，加入RC电路后，MOSFET的关断轨迹更靠近坐标轴了(图7.d)。这是因为在MOSFET关断瞬间，由于电容电压不能突变，依然保持输入电压，使得MOSFET上电压保持为零。随着电容C的放电，MOSFET的电压才逐渐升高。这样，就限制了MOSFET漏源极电压的上升速度，关断损耗得到减小，不过关断损耗的减小是以开通损耗的增加为代价的。这是由于MOSFET关断期间，电容C上电压为零，MOSFET开通瞬间，电容C通过电阻R和MOSFET充电引起的。从图7.c开通轨迹线上可以看出，MOSFET的开通轨迹线向“上”移动了，也就是说，漏源极电压还没下降到零时就有漏极电流流过了。

应该权衡考虑开通损耗和关断损耗，选择适当的RC值。利用开关轨迹线可以方便地找到这个平衡点，以确保总损耗降至最低。