用于车载USB供电的NCV8852（一）

3.选择电感

电感主要有纹波电流ΔI决定。通常将ΔI设定为典型输入电压下，最大输出电流的30%~50%，这里取为30%.





考虑30%的裕量，选取电感的直流电流大于3.2A，饱和电流大于3.9A.选取WURTH电感744770122，感值22uH，直流电阻45m？，最大直流电流4.1A，最大饱和电流5A. 4.选取电流检测电阻

…………（11）

VCL：过流门限电压，为100mV.ICL：过流保护电流值，设定限流值为最大峰值电流的1.3~1.5倍。

选取25m？采样电阻，过流保护值设为4A. 5. MOSFET选择MOSFET承受的最高电压为VINMAX ，考虑到抛负载保护，选取耐压40V以上的MOS.MOSFET的损耗，可由以下公式估算，导通损耗：

tON， tOFF为MOSFET开通和关断时间。

ISINK：为驱动下拉电流，NCV8852的驱动下拉电流典型值为200mA.

ISRC：为驱动的输出电流，NCV8852的驱动输出电流典型值为200mA

选取ONSEMI的NVTFS5116PL，耐压60V，导通电阻Rdson=52m？@VGS=10V， QGD=8nC，封装u8FL，参考热阻（芯片结温到环境温度）47OC/W.由QGD可先计算出MOSFET的开通关断时间为：

计算MOSFET功耗：在最高输入电压下

TA_MAX为最大环境温度，车载USB电源一般要求为85oC.150oC为最大结温。

在最低输入电压下

MOSFET的结温为

6.续流二极管的选择续流二极管上的最大反向压降为VINMAX ，流过二极管的最大峰值电流为2.96A，流过二极管的最大平均电流为

…………（18）

建议二极管正向电流为流过二级管的平均电流的1.5倍。这里选取ONSEMI的MBRA340, 最大正向平均电流为3A， 反向耐压40V， SMA封装，参考热阻为81oC/W。2.5A，100oC结温时的正向导通压降约为0.32V

二极管损耗（忽略寄生电容产生的损耗）为：