实现最优的传感器:ASIC与MEMS协同设计方法
MEMS单元的刚度(k)是一个重要的系统设计参数,因为它可以在MEMS单元中得到很好的控制,不像X0,其最小值受MEMS技术的限制。假设ASIC噪声主导传感器噪声,那么可实现的最大动态范围(VACT设为吸合之前的最大允许值)将独立于一阶k值。这是因为增加k不仅会降低MEMS灵敏度,增加以传感器输入为参考的ASIC噪声,而且也会使反馈力增加同样的数量,因为这种方法允许在更高的VACT时工作。在MEMS噪声主导传感器性能的情况下,应增加k值,以便支持更大的动态范围。而在工作不受吸合限制的情况下,最好是减小k值,从而提高MEMS灵敏度,减小ASIC噪声对传感器噪声的影响。需要注意的是,k值会改变MEMS单元的谐振频率。在开环传感器中,谐振频率设定了传感器带宽的上限,而对闭环系统来说不是这样。因此k值可以根据动态范围和噪声要求进行设置。
传感器性能对MEMS和ASIC参数的高度依赖性表明,闭环传感器的系统级设计需要做大量的折衷考虑,其中的ASIC噪声预算、激励电压、功耗和技术都高度依赖于MEMS参数。因此为了实现最优的传感器,强烈推荐基于传感器总体目标规格的ASIC与MEMS协同设计方法,而不是针对已经设计好的MEM再进行ASIC设计。
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