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抑制同步开关噪声的超带宽电磁带隙结构的研究

作者: 时间:2014-04-21 来源:网络 收藏

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/259489.htm

2 BS的仿真特性分析

为了验证新型BS结构单元的有效性,设计一个3×3单元阵列的双层PCB板。如图2所示,PCB板尺寸为90 mm×90 mm×0.4 mm,介质层厚度为0.4 mm,介质材料为FR4,地平面保持连续完整。为了测试3×3单元阵列对SSN 的抑制特性,如图2(a)所示,在位于坐标(45 mm,45 mm),(75 mm,45 mm),(75 mm,75 mm)的三点处,分别加载3个测试端口,坐标原点如图2(b)所示。

新型BS电源平面和Z-bridged 电源平面在0~20 GHz 之间进行仿真对比,使用的工具是ANSOFT公司的HFSS 软件。带宽定义为S21 参数的插入损耗小于-30 dB 的范围。如图3(a),(b)所示,新型BSEBG 电源平面的S21 带宽范围从220 MHz~20 GHz(19.8 GHz带宽),而Z-bridged EBG 结构的仿真S21 的范围从330 MHz~6.55 GHz(6.22 GHz带宽)。从图3(c)可以看出,BS EBG 结构的仿真数据和实测数据具有良好的一致性。与Z-bridged EBG结构相比较,新型BS EBG的带宽增加了218.3%,相对带宽增加了约15%,下限截止频率降低了110 MHz,几乎覆盖了SSN的全部频带。

由图3(d)可以看出,BS EBG的S21 和S31 曲线基本一致。因此,本文的BS-EBG结构可以全方位消除电源平面上的SSN.

3 结论

本文提出了一种抑制的新型BS EBG.当带宽被定义为-30 dB以下时,新型BS EBG 结构的带隙范围为220 MHz~20 GHz.相比于传统的Z-bridged EBG电源平面,BS EBG电源平面的相对带宽增加了约15%,下限截止频率降低了110 MHz,对于具有良好的抑制效果。


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