几个步骤，搞定LED恒流驱动电源设计！

　　2、输出滤波电容的确定

　　输出电容器的选定取决于输出脉动电压控制在多少毫伏。输出脉动电压 虽要根据 和输出电容器的等效串联电阻 确定，但一般规定为输出电压的0.3%～0.5%范围。

　　又因

　　就是在200HKz范围内，需要 值在37.5m 以下电容器的。所以可以选择20V，8200 H，则 为31m ,容许脉动电流为2.9Ams.

　　流向电容器的纹波电流为：

　　即0.58A<2.9A,说明电容合适

　　3、滤波器电阻设计

　　要想不是输出扼流圈的电流中断而直接使用时，可以假设电阻值Rd

　　则假设电阻Rd电耗为 Wrd

第五步：复位电路计算

　　复位电路如图所示。开关功率管VT1接通时，变压器T1的磁通增加，磁能被储存到T1，当VT1截止时，即放出这种受激磁的磁能下图复位线圈到T1上以在VT1截止时通过VD1把磁能反馈到输入。

则磁复位串接在N3的中二极管VD1承受最大电压为

那么选择VD1额定电压为800V，这样基本符合要求的。

第六步：功率开关管选择

　　右图为MOSFET型功率开关管，它主要具有驱动功率小，器件功率容量大;第二个显著特点是开关速度快，工作频率高，另外他的热稳定性优于GTR等优点，也是目前开关变换器广泛应用的开关器件。

　　根据单端正激式变换器计开关管VT1承受最大电压公式得:

流过MOSFET开关管最大电流为：

　　根据下面功率MOSFET表3.7，可以选择2SK2718型号。它的最高承受电压为900V，允许最大电流为2.5A，而功率损耗是40W，是上面功率最小损耗的。

第七步 输出二极管选择

　　输出二极管有肖特基二极管(SBD),低损耗二极管(LLD)、高速二极管(FRD)。输出为低压大电流时应采用肖特基二极管，其他则采用低损耗或调整二极管。

　　(1.)选择二极管时要注意选择反向恢复时间trr快的二极管。

　　这是因为主开关元件闭合时反向流入二极管的电流会影响初级线圈开关特性并致使损耗增大。同时，输出噪声也会受很大影响的。所以输出整流二极管选择一般原则有四点。

　　1、选用正向压降VDF小的整流二极管;

　　2、选用反向恢复时间trr整流二极管;

　　3、选用正向恢复电压VFRm整流二极管;

　　4、选用反向漏电流IR小整流二极管。

　　(2.)续流二极管VD2选择

　　续流二极管VD2上的反向电压UVD2与输出变压器次级电压的最大值是相同的。根据单端正激式变换器公式得:

　　流过它方向电流Ir一般看作与IO大致相同的，即 Ir=Io=10A..

　　可选择低损耗二极管MBR1545 作为续流二极管它参数为，Uds=45V, IO=15A,trr<1.0ns.