瑞萨发布最快4千兆位AG-AND型闪存芯片

瑞萨科技公司宣布开发出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型闪存存储器，可以提供世界上最快的10 M字节/秒编程速度，用于电影和类似应用中的大容量数据的高速记录。在2004年9月，将从日本开始样品发货，随后在12月将开始批量生产。

　　R1FV04G13R和R1FV04G14R分别具有´8和´16位配置，可以提供下面的主要性能。

　　(1)世界上最快的4千兆位闪存存储器（芯片）

　　作为实现了多级单元技术*2和高速度的第二阶段AG-AND型闪存存储器，R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下，也能达到10 M字节/秒的快速编程速度。复制一个2小时的MPEG-4格式的电影，大约需要2分钟就可以完成录制。

　　(2)小型芯片尺寸

　　由于使用90 nm工艺和改进的AG-AND闪存存储器单元设计，实现了世界上最小的存储单元。与1千兆位AG-AND型闪存存储器相比，每千兆位的芯片面积大约缩小了三分之二。

　　这些新产品的发布使得电影和音乐等大容量内容的快速下载和传送成为可能。相应地，其应用领域也从过去仅局限于数码相机和个人计算机，现在可以扩展到移动终端和数字家用设备，扩大了使用闪存存储器作为存储介质的系统解决方案的应用范围。

< 产品详情 >

　　使用R1FV04G13R和R1FV04G14R，可以在单个芯片上配置512M字节的记录介质，提供的存储能力大约相当于160分钟的MPEG-4电影数据，大约等同于130个磁道的MP3音乐数据，或大约500张4兆象素的数码相机相片。

　　R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性总结如下。

　　(1)世界上编程速度最快的4千兆位闪存存储器（芯片），速度高达10 M字节/秒。

　　和1千兆位产品一样，使用热电子注入编程方法*3和在单个芯片内同时进行4组编程操作，通过使用多级单元技术，实现了高达10 M字节/秒的编程速度。

　　(2)小型芯片尺寸

　　通过使用90 nm工艺和改进的第一代AG-AND型闪存存储器源－漏*4结构，实现了世界上最小的0.016 μm2存储单元面积。

　　与1千兆位 AG-AND型闪存存储器相比，每千兆位芯片面积大约缩小了三分之二。

　　* 源－漏结构的改进：

　　使用了一种新结构，在AG上加电压时，硅衬底上形成的逆温层*5构成了存储单元晶体管的源和漏。在常规的扩散层*6结构中，源和漏趋向于横向扩散，但是，由于逆温层仅在AG下面的衬底的极浅区域形成，因此可以缩小存储单元的面积。

　　(3)支持加电读出功能（2K字节大小）

　　系统加电时，不需要命令或地址输入，通过控制两个控制线（/CE 针和/RE针）就可以读出多达2K字节的数据。

　　(4)在编程操作过程中具有高速缓冲存储器编程功能，在擦除操作过程中，具有可编程数据输入功能。

　　在器件编程过程中，可以对下一步2 K字节的数据进行高速缓冲存储器编程的功能，最多可以进行两次（4 K字节）。这使得系统可以很容易地分配总线进行下一个任务。

– 更多 –

　　在器件擦除过程中，可以进行一次高达2 K字节的下一步数据输入的功能。

　　(5)NAND接口

　　在命令级，R1FV04G13R和R1FV04G14R与NAND型闪存存储器兼容，因此，对目前使用NAND型闪存存储器的系统进行很少的软件修改，就可以使用它们。

　　电源电压是3.3 V，使用的封装形式是48针TSOP 1型封装，与1千兆位AG-AND型闪存存储器的封装尺寸相同。

　　未来的计划包括为R1FV04G13R和R1FV04G14R开发控制器，面向高速闪存卡的应用开发，以及开发2千兆位AG-AND型闪存存储器产品和使用新型存储单元的1.8 V低压产品。

　　我们也计划开发具有两个层迭4千兆位AG-AND型闪存存储器的大容量8千兆位产品，使用新的封装形式（WFLGA: 超细节距栅格阵列），在2004年12月将开始高密度安装。

< 开发支持工具 >

　　从2004年10月起，可以购买功能描述模型和C 语言参考库，作为使用这些闪存存储器进行系统设计的支持工具。

注释：

　　1.AG-AND型闪存存储器单元：使用场隔离方法的新型存储单元结构，包括可以防止单元间干扰的交替辅助栅和浮动栅。通过使用小沟道电流进行热电子注入，实现编程，与使用浅槽隔离的方法（通过形成开槽来隔离各个单元）相比，单元面积更小。

　　2.多级单元技术：一种适用于高密度闪存存储器的技术，在缩小芯片尺寸方面卓有成效，它使用4个以上的值：比如00、 01、10和11，而通常的存储器使用两个值：0和1。使用4个值时，一个单元可以完成两个常规单元的工作。

　　3.热电子注入编程方法：将经过沟道电场加速的高能量“热”电子注入到浮动栅的一种编程方法。单元的编程时间是10 μs或更少，比常规的隧道编程方法快一个数量级。

　　4.源和漏：MOS（金属氧化物半导体）晶体管的基本组成部分。通常通过离子注入的方法，在扩散层形成源和漏。

　　5.逆温层：对栅施加电压时，在硅衬底的极浅区域产生了一个高密度电子区域。用作MOS晶体管的沟道。

　　6.扩散层：离子被注入硅衬底，通过对该区域施加电压产生高密度电子。这是在MOS晶体管上形成源和漏的常用方法。

< 典型应用 >

　　用作高端数码相机和硅器件电影设备中的大容量存储介质。

　　在使用高速接口如USB2.0的移动终端中，作为大容量存储介质。

　　用于需要几千兆字节存储容量的硅器件音频设备中。

　　硅器件便携式阅读器、数字电视广播用图像回放设备等。