英特尔闪存生产工艺将向65nm过渡

美国英特尔2007年8月21日宣布，NOR闪存生产工艺将向65nm过渡。计划2008年上半年面向客户供应样品。该公司的闪存主要面向手机及数字家电等产品。该公司表示，生产工艺向65nm过渡将有利于提高性价比。

英特尔的闪存产品包括低成本产品“StrataFlash嵌入式存储器”和“嵌入式闪存”以及串行产品“串行闪存”等。