IR推出新型DirectFET MOSFET芯片组

使336W转换器效率提升至97%
面积较四分之一砖小29％

　　世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片组。新品可配合IR近期发布的IR2086S全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336W功率。

　　全新的IRF6646及IRF6635适用于隔离式DC-DC转换器总线转换器的固定48V及36V到60V输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式DC-DC电路拓扑、针对移动通信的18V到36V输入正激及推挽式转换器，以及调节式输出隔离式DC-DC应用中的次级同步整流。

　　业界标准的300W四分之一砖设计往往包含多达10个MOSFET（4个初级和6个次级）、1个脉宽调制（PWM）集成电路及2个半桥驱动器集成电路。IR的新芯片组方案则只有6个MOSFET（4个初级和2个次级）及1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。

　　此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器DC-DC能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1.5个百分点。

　　IRF6646 80V MOSFET的最大导通电阻为9.5mΩ ，较相同面积的同类器件改善了37%，成为业界之最，并可针对初级桥式电路拓扑进行定制。IRF6635 30V MOSFET的最大导通电阻为1.8mΩ ，是特别为次级同步整流优化的。该器件可在相同面积下实现最低的导通电阻，超过同类器件22%。

　　这组MOSFET可与最新面世的IR2086S全桥直流总线转换器集成电路和现有的IRF6608 30V DirectFET MOSFET结合起来用作次级栅钳位。

　　IR中国及香港销售总监严国富指出，最新的IRF6646和IRF6635可实现更高的效率，工作时的外壳温度比SO-8器件约低40