MOS模拟集成电路

　　MOSFET与BJT相比,具有许多突出的优点：MOSFET是电压控制器件，输入偏流很小（10 ^-12 A 以下），输入电阻高(10¹²Ω以上)；MOSFET功耗小，集成度高，抗辐射能力强；MOS工艺简单，便于大规模集成。因此，自70年代以来，MOS模拟集成电路得到了迅速发展，各种功能的集成电路不断涌现，其性能不断提高。由MOSFET构成的模拟集成电路，如运放、电压比较器、模拟开关、定时器、开关电容电路、乘法器、锁相环路、频率合成器、A/D与D/A转换器、脉冲调制编码/解码器等已广泛应用于电子技术各个领域。尤其是采用MOS工艺可以使模拟信号处理技术与数字处理及计算机技术有机结合起来，融为一体，构成模拟信号数字化的单片集成系统，促进了通讯、图像、声音、雷达信号处理及其它技术领域的发展。