飞兆半导体公司专为功率及移动设计提供高能效、易于使用及高增值的半导体解决方案。飞兆半导体拥有业界最广泛而全面的产品种类，功耗范围从1W到1200W以上，能够最大限度地提高电子设备如PDA、智能手机、笔记本电脑、智能笔记本、上网本、高分辨率平板显示器和监视器、DVD、机顶盒、电源、电池组、电源适配器、马达控制和工厂自动化、点火和引擎管理、照明系统等的能效。

飞兆半导体与领先的电子产品制造商客户密切合作，了解未来产品的功率设计挑战，再综合不同的解决方案，从而最大限度地减少电力需求，为客户带来能满足功效、噪声或其他政府法规要求的优点。

飞兆半导体一直坚守以客为尊的信念，帮助客户开发与众不同的产品，并以飞兆半导体在功率和信号路径产品上的专业知识解决客户遇到的技术困难。

高效率、大电流处理能力和小外形尺寸是电源设计人员选择用于电压调节器解决方案的元件的至关重要的因素。飞兆半导体公司Generation II XS DrMOS (集成式驱动器 + MOSFET) 器件系列能够提供高效率和高功率密度，可让设计人员满足刀片服务器、高性能游戏主板、高性能笔记本电脑、显卡，以及大电流DC-DC负载点(point-of-load)转换器等不同应用的特定设计需求。

Generation II XS DrMOS器件采用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封装，具有较高的系统效率，在12Vin、1Vout和25A条件下重负载效率高于91.5%，峰值效率则超过94%。Generation II XS DrMOS器件可在2MHz开关频率下运作，并具有最高50A的电流处理能力。

Generation II XS DrMOS系列器件提供5V和3.3V三态电平以匹配Intel®4.0 DrMOS规范，并可兼容市场上的多种PWM控制器。这些器件能够显著减少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench® MOSFET屏蔽栅极技术而产生的振铃噪声。同步FET还集成了一个肖特基二极管，免除外部缓冲器电路，提高总体性能和功率密度，同时减少占用空间和成本。Generation II XS DrMOS器件还可以为客户加入一项过热报警功能，可在故障期间防止出现过热状况。