飞兆半导体公司专为功率及移动设计提供高能效、易于使用及高增值的半导体解决方案。飞兆半导体拥有业界最广泛而全面的产品种类，功耗范围从1W到1200W以上，能够最大限度地提高电子设备如PDA、智能手机、笔记本电脑、智能笔记本、上网本、高分辨率平板显示器和监视器、DVD、机顶盒、电源、电池组、电源适配器、马达控制和工厂自动化、点火和引擎管理、照明系统等的能效。

飞兆半导体与领先的电子产品制造商客户密切合作，了解未来产品的功率设计挑战，再综合不同的解决方案，从而最大限度地减少电力需求，为客户带来能满足功效、噪声或其他政府法规要求的优点。

飞兆半导体一直坚守以客为尊的信念，帮助客户开发与众不同的产品，并以飞兆半导体在功率和信号路径产品上的专业知识解决客户遇到的技术困难。

电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战，而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中，上述两点尤为重要。飞兆半导体 FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块则能够帮助设计人员应对这些挑战。

FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET，以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接，能够轻易进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET™)(Q2)经专门设计，为高达30A的输出电流实现最佳功效。FDMS36xxS系列将上述器件集成在一个模块中，可替代两个或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封装，有效减少线路板空间。

FDMS36XXS系列产品采用飞兆半导体先进的电荷平衡架构(屏蔽栅极技术)和先进封装技术，可在高性能计算的额定击穿电压下，获得低于2mΩ的业界领先低端RDS(ON) 。该系列产品经过优化，以便最大限度地减小300kHz至600KHz范围的综合传导损耗和开关损耗，为负载点和多相同步降压DC-DC应用带来可靠的最高功效。

FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET使用独特的屏蔽电压调制架构和超低源极电感封装设计，具有低开关噪声、低设计变化敏感度和较高的设计可靠性。低开关噪声可以省去需要外部缓冲器或栅极电阻的缓减设计，从而降低设计BOM成本并且节省额外的线路板空间。