IR IRF6811和IRF6894DirectFET®Plus MOSFET采用了IR最新一代Si技术，Rds(on)和栅极电荷（Qg）比上一代器件低得多，并且功率损耗也减少了25%之多。此外，这些器件还提供了与超低栅极电阻（Rg）有关的所有优势，从而通过将DC-DC转换器的开关损耗降至最低水平而进一步提高了效率。 可以通过降低Rg来提高效率是因为它降低了与控制FET有关的开关损耗。降低Qg也可以产生类似的效果，然而，降低Qg通常会导致Rds(on)的增加，因此效果不如降低Rg那么明显。 降低Rg还有助于防止同步FET的Cdv/dt感应导通，它主要是由于控制FET导通导致同步FET漏极电压迅速增加所致。电压迅速增加会通过密勒电容在同步FET栅极上产生电压尖峰，而它有可能导通同步FET。该Cdv/dt感应导通会产生大量功率损耗，从而影响了整个负载范围内的效率。低栅极电阻Rg能够有效降低该栅极尖峰，进而消除了该损耗机制。 Rg越低，栅极驱动器输出阻抗匹配就越好。由于越来越强调提高效率，所以进一步改进更多地需要系统方法（而不是单单改善MOSFET Rds(on)和Qg）的趋势就越来越明显了。特别地，栅极驱动器特性及其驱动的MOSFET之间的协同作用是提高效率的关键。调整Rg以便有效匹配驱动器输出阻抗的能力会改善其驱动能力，从而提高效率。 降低Rg的另一个优势在于提高了可靠性。MOSFET通常由大量并联单元组成。保证各个单元具有较一致的导通特性可以避免少量单元暂时承受满载电流，从而提高了可靠性。 RF6811 控制MOSFET 及IRF6894 同步MOSFET 分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷，将传导和开关损耗降到最低。IRF6894 还设有集成式单片肖特基二极管，可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET 与上一代器件的占位面积兼容。新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。 |
