双向晶闸管保护器是我国精确管理行业中发展最快的，在国内的分立器件厂商的主要产品以硅基二极管，三极管和晶闸管保护器为准。我国目前尚的功率半导体器材的主要产品功率是MOS器件，近年来才有所设计，且主要是平面结构的TDMOS器件，而IGBT还在研究阶段，在宽禁的导体主要是已微薄功率器件。从功率半导体的产品中分类的。 一、普通二极管、三极管国内的自给率已经很高，但是在高档的功率二极管，大部分还依赖进口，国内的产品性能还有不小的差距。 二、ABB晶闸管类器件产业成熟，种类齐全，普通晶闸管、快速晶闸管、超 大功率晶闸管、光控晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、高频晶闸管都能生产。 三、在 功率管领域，逐步有国内的企业技术水平上升到MOS工艺，进入21世纪后，这类器件的产品已批量进入市场，几十安培、200V的器件在民用产品上获得了广泛应用，进口替代已然开始。　　 四、IGBT、FRD已经有所突破，FRD初见规模。IGBT从封装起步向芯片设计制 造发展，从PT结构向NPT发展，沟槽工艺正在开发中。IGBT产品进入中试阶段， 五、在电源管理领域。从功率半导体产业链来说 设计：国内IGBT还处于研制阶段，还没有商品化的IGBT投入市场，我国IGBT芯片的产业化道路比较漫长。目前国内的民营和海归人士设立的公司已经研发出了低端的IGBT产品。 制造：IGBT对于技术要求较高，国内企业还没有从事IGBT生产。考虑到IP保护以及技术因素的限制，外资IDM厂商也没有在国内进行IGBT晶圆制造和封装的代工。 三、封装：我国只有少数企业从事中小功率IGBT的封装，而且尚未形成规模化生产，在IGBT芯片的产业化以及大功率 IGBT封装领域的技术更是一片空白。从功率半导体工艺发展来说一、BCD工艺已从无到有，从低压向高压发展，从硅基向SOI基发展。二、从封装起步向芯 片设计制造发展，从PT结构向NPT发展，沟槽工艺正在开发中http://www.ahwangya.com。