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昆山万达电子科技有限公司
所在省:江苏
所在市:苏州
店铺地址:http://ec.eepw.com.cn/
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最新产品

产品名称:【供应】MCD220-18io1 进口可控硅
当前价格:3/个
最小起订:3
供货总量:333
发 货 期:天内发货
发布时间:2019-07-10

详细说明:

半控可控硅:

MCD44-08IO1B
MCD44-12IO1B
MCD44-14IO1B
MCD44-16IO1B
MCD18-18IO1B
MCD56-08IO1B
MCD56-12IO1B
MCD56-14IO1B
MCD56-16IO1B
MCD56-18IO1B
MCD72-12IO1B
MCD72-16IO1B
MCD94-20IO1B
MCD94-22IO1B
MCD95-14IO1B
MCD95-16IO1B
MCD95-12IO1B
MCD95-18IO1B
MCD132-08IO1
MCD132-12IO1
MCD132-14IO1
MCD132-16IO1 .
MCD132-18IO1
MCD161-20IO1
MCD161-22IO1
MCD162-08io1
MCD162-12io1
MCD162-14io1
MCD162-16io1
MCD162-18io1
MCD200-12io1
MCD200-14io1
MCD200-16io1
MCD200-18io1
MCD224-20io1
MCD224-22io1
MCD220-08io1
MCD220-12io1
MCD220-14io1
MCD220-16io1
MCD220-18io1   (四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。
通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。   
(五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。
编辑本段可控硅的触发
过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。   
非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),
来改变输出百分比。
编辑本段可控硅的主要参数
电流.富士整流桥 FUJI RECTIFIER BRIDGE
型号MODEL NUMBER 技术指标 型号 技术指标
 3R3TI20E-080 20A/800V 三相半控桥 4R3TI30Y-080 30A/800V 三相半控桥带续流
 3R3TI30E-080 30A/800V 三相半控桥 4R3TI60Y-080 60A/800V 三相半控桥带续流
 3R3TI60E-080 60A/800V 三相半控桥 6R1TI30Y-080 30A/800V 三相全桥 + 可控硅
 4R3TI20Y-080 20A/800V 三相半控桥续流二极管 6RI30G-120 30A/1200V/6U
 6RI30E-080 30A/800V/6U 6RI75G-120 75A/1200V/6U
 6RI50E-080 50A/800V/6U 6RI75G-160 75A/1600V/6U
 6RI75E-080 75A/800V/6U 6RI100G-120 100A/1200V/6U
 6RI100E-080 100A/800V/6U 6RI100G-160 100A/1600V/6U
 6RI150E-080 150A/800V/6U 6RI30G-160 30A/1600V/6U
 6RI30FE-080 30A/800V/6U
四. SHINDENGEN 日本新电元厂家整流桥
型号(三相桥模块) 技术指标 型号(三相桥) 技术指标
 S30VTA160 30A/1600V/6U D30VTA160 30A/1600V/6U
 S30VTA80 30A/800V/6U D30VTA80 30A/800V/6U
 S30VTA60 30A/600V/6U D20VTA80 20A/800V/6U
 S50VB80 50A/800V/4U 


27-15-4800
27-19-7305
27-19-7310
27-19-7410
27-19-7415
27-19-7425
27-22-4427
27-22-6120
2788-2
2788-3
27ASL100CR5-2
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27ASL200CR5-2
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27ASL20CR5-2
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27ASL25C-2
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27ASL40C-2US
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280FM
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2A1630-4
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2A1667-12
2A1667-13
2A1667-14
2A1667-15
2A1667-16
2A1667-2.富士整流桥 FUJI RECTIFIER BRIDGE
型号MODEL NUMBER 技术指标 型号 技术指标
 3R3TI20E-080 20A/800V 三相半控桥 4R3TI30Y-080 30A/800V 三相半控桥带续流
 3R3TI30E-080 30A/800V 三相半控桥 4R3TI60Y-080 60A/800V 三相半控桥带续流
 3R3TI60E-080 60A/800V 三相半控桥 6R1TI30Y-080 30A/800V 三相全桥 + 可控硅
 4R3TI20Y-080 20A/800V 三相半控桥续流二极管 6RI30G-120 30A/1200V/6U
 6RI30E-080 30A/800V/6U 6RI75G-120 75A/1200V/6U
 6RI50E-080 50A/800V/6U 6RI75G-160 75A/1600V/6U
 6RI75E-080 75A/800V/6U 6RI100G-120 100A/1200V/6U
 6RI100E-080 100A/800V/6U 6RI100G-160 100A/1600V/6U
 6RI150E-080 150A/800V/6U 6RI30G-160 30A/1600V/6U
 6RI30FE-080 30A/800V/6U
四. SHINDENGEN 日本新电元厂家整流桥
型号(三相桥模块) 技术指标 型号(三相桥) 技术指标
 S30VTA160 30A/1600V/6U D30VTA160 30A/1600V/6U
 S30VTA80 30A/800V/6U D30VTA80 30A/800V/6U
 S30VTA60 30A/600V/6U D20VTA80 20A/800V/6U
 S50VB80 50A/800V/4U

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