详细说明：

355NHG1B
355NHG2B
35A-1-1/3A
35AFE
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35CJ
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39F
39N
3A0368-X
3CIF06
3CIF21 西门康整流桥 SEMIKRON Rectifier Bridge
型号 技术指标 型号 技术指标
SKB25/12 25A/1200V 单相桥 SKD50/08 40A/800V/6U
SKB30/12 30A/1200V单相桥 SKD50/12 50A/1200V/6U
SKB30/08 30A/800V) 单相桥 SKD51/12 51A/1200V/6U
SKB50/04 50A/400V单相桥 SKD53/12 53A/1200V/6U
SKD25/12 25A/1200V 三相桥 SKD60/12 60A/1200V/6U
SKD30/04 30A/400V 三相桥 SKD62/12 62A/1200V/6U
SKD30/12 30A/1200V/6U SKD82/12 82A/1200V/6U
SKD31/12 30A/1200V/6U SKD83/12 83A/1200V/6U
SKD33/12 33A/1200V/6U SKD100/12 100A/1200V/6U
SKD40/08 40A/800V/6U SKD110/12 110A/1200V/6U
SKB25/16 25A/1600V单相桥 SKD160/12 160A/1200V/6U
SKB30/16 30A/1600)V单相桥 SKD50/16 50A/1600V/6U
SKB50/12 50A/1200V 单相桥 SKD51/16 51A/1600V/6U
SKD25/16 25A/1600V 三相桥 SKD53/16 53A/1600V/6U
SKD30/08 30A/800V三相桥 SKD60/16 60A/1600V/6U
SKD30/16 30A/1600V/6U SKD62/16 62A/1600V/6U
SKD31/16 30A/1600V/6U SKD82/16 82A/1600V/6U
SKD33/16 33A/1600V/6U SKD83/16 83A/1600V)/6U
SKD110/16 110A/1600V/6U SKD100/16 100A/1600V/6U
SKD160/16 160A/1600V/6U
MCD250-12io1 （四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。
通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。 　　
(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。
编辑本段可控硅的触发
过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。 　　
非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），
来改变输出百分比。
编辑本段可控硅的主要参数
电MCD44-08IO1B
MCD44-12IO1B
MCD44-14IO1B
MCD44-16IO1B
MCD18-18IO1B
MCD56-08IO1B
MCD56-12IO1B
MCD56-14IO1B
MCD56-16IO1B
MCD56-18IO1B
MCD72-12IO1B
MCD72-16IO1B
MCD94-20IO1B
MCD94-22IO1B
MCD95-14IO1B
MCD95-16IO1B
MCD95-12IO1B
MCD95-18IO1B
MCD132-08IO1
MCD132-12IO1
MCD132-14IO1
MCD132-16IO1 .
MCD132-18IO1
MCD161-20IO1
MCD161-22IO1
MCD162-08io1
MCD162-12io1
MCD162-14io1
MCD162-16io1
MCD162-18io1
MCD200-12io1
MCD200-14io1
MCD200-16io1
MCD200-18io1
MCD224-20io1
MCD224-22io1
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MCD220-12io1
MCD220-14io1
MCD220-16io1
MCD220-18io1
MCD225-12io1
MCD225-14io1
MCD225-16io1
MCD225-18io1
MCD250-08io1
MCD250-12io1