详细说明：

TT162N14KOF（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。
通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。 　　
(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。
编辑本段可控硅的触发
过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。 　　
非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），
来改变输出百分比。
编辑本段可控硅的主要参数
电流
ND171N12-18K
ND260N12-18K
ND261N20-26K
ND350N12-18K
DZ540N20-26K
DZ600N12-18K
ND600N12-18K
DZ950N36-44K
DZ1070N18-28KF

TT95N18KOF
TT104N08KOF
TT104N12KOF
TT104N14KOF
TT104N16KOF
TT105N12KOF
TT105N14KOF
TT105N16KOF
TT105N18KOF
TT106N08KOF
TT106N12KOF
TT106N14KOF
TT106N18KOF
TT121N12KOF
TT121N14KOF
TT121N16KOF
TT121N18KOF
TT122N16KOF
TT122N18KOF
TT122N20KOF
TT122N22KOF
TT122N24KOF
TT131N12KOF
TT131N14KOF
TT131N16KOF
TT142N12KOF
TT142N14KOF
TT142N16KOF
TT142N18KOF
TT162N12KOF
TT162N14KOF
型号 (2 单元 1200/1700V) IGBT 技术指标 型号 (2 单元 1200/1700V) IGBT 技术指标

SKM 50GB 123D 50A/1200V/2U SKM 145GAL 123D(124D) 145A/1200V/2U

SKM 75GB 123D(124D) 75A/1200V/2U SKM 150GAL 123D 150A/1200V/2U

SKM 100GB123D(124D) 100A/1200V/2U SKM 200GAL 123D(125D) 200A/1200V/2U

SKM 145GB123D(124D) 145A/1200V/2U SKM 300GAL 123D 300A/1200V/2U

SKM 150GB123D(124D) 150A/1200V/2U SKM 400GAL 124D(125D) 400A/1200V/2U

6MBI15S-120
6MBI15L-120
6MBI8N-120
6MBI25L-120
6MBI25S-120
6MBI25LB-120
6MBI35S-120
6MBI50L-120
6MBI50S-120
6MBI50F-120
6MBI75S-120
6MBI15F-120
6MBI50N-120
6MBI25F-120
6MBI15N-120
6MBI50J-120
6MBI25N-120
6MBI10GS-060
6MBI100S-120
6MBI15GS-060
6MBI20GS-060
6MBI20N-060
6MBI25GS-060
6MBI100N-060