详细说明:
半导体电容器大概分为两类:一类是由两块相接触的 N 型和 P 型半导体构成。众所周知,当 N 型半导体接正、 P 型半导体接负馈电时,电流不易流过 PN 结,电荷即在 PN 结的两侧聚集,起电容器的功效。并且 PN 结的耗尽层会因外加电压的大小变化而改变其厚度,也即正负电荷层的间距会发生变化,故而表现出容量随外加电压的变化而变化的特性:外加电压增大,容量减小。另一类被称为半导体陶瓷电容器。由掺杂金属 La 的 N 型半导体陶瓷 — 钛酸钡的两个侧面涂布银电极,并焊接上端子而构成。银电极和半导体陶瓷的界面呈现整流特性:从银电极到半导体陶瓷,电流容易流通,反之则电流几乎不能流通。因而,当给两端子上外加电压时,电荷会在某一界面的两侧聚集,表现出电容器的特点。欢迎咨询请留下您的联系方式: