将屏蔽层连接在一起
屏蔽层 屏蔽层
晶圆电容
图5.跳接同轴线屏蔽层示意图
好的C-V测量取决于接地跳线的质量。随着频率的提高，好的接地跳线变得愈发重要。探头体必须跳接在一起，因为同轴线缆的屏蔽层实际上是C-V测试系统测量通路的一部分。如果屏蔽层没有靠近连接在一起，就会形成一个很大的回路，从而在测量通路中直接产生较大的电感，给电容测量带来很大的误差。
当有人想要采用与C-V测量系统相同的探针和线缆系统配置进行直流I-V测量时，按这种方式（如图5所示）跳接探针体的缺点就显而易见了。对于好的直流I-V测量，探针体必须浮动在保护电位上，这意味着当从C-V转换为I-V测试时，必须去掉这个跳线。如果探针台频繁在I-V和C-V测试之间转换，那么你很快就会发现去掉和重新放置这个跳线是一个非常费力费时的过程。
图6. 新方法简化了I-V、C-V和超快I-V测试连接配置
吉时利研究出了一种新的接线技术（如图6所示）能够减少在I-V、C-V和超快I-V测试之间转换所需的重新连线时间。这种技术采用一种特殊的三轴线缆直接连接探头，但是内部屏蔽层保持浮空或者与C-V同轴屏蔽层绝缘。这实际上是将外部屏蔽层跳接在了一起，保持内部屏蔽层浮空为直流I-V的驱动保护。这种三轴接头实现了一种简便而直接的与直流I-V三轴输出端的连接方式。C-V输出从同轴转换为三轴，保护端仍然断开，从而同一条线缆很容易从直流I-V转换到C-V测试端。这种特制的三轴线缆具有100欧姆的匹配阻抗，因此同样的线缆可以采用T型连接方式连接在一起，直接与超快I-V测试仪器连接。这种配置使得屏蔽层跳线始终保持连接，能够快速而简便地实现直流I-V、C-V和超快I-V测试之间的转换。
