关于MOS管上升时间的深度探讨-电子产品世界论坛

关于MOS管上升时间的深度探讨

若即若离

菜鸟

2013-09-24 10:55 1楼

分享一下看到的这段讨论，反正对我挺有启发的：

看一本书这样计算mos的上升时间的，如图，那个输入电容是一直变化的，他这样求不知道误差大不大啊。。。有试验过的么？？？

问题答复见：http://ezchina.analog.com/thread/6676

落月风情

高工

2013-09-24 10:58 2楼

讨论的越来越专业化了，看看答案解析

落月风情

高工

2013-09-24 11:00 3楼

看错了，楼主最后挂的是连接啊，我还以为回复可见呢，唉。。。

若即若离

菜鸟

2013-09-24 11:05 4楼

逼得我要勤快点贴出来答案啊，呵呵～关于MOS管上升时间的深度探讨
条件是RL >> RG嘛，Id足够小的话Cgd的miller effect可以忽略，这样就可以只算Ciss了。不过满足RL >> RG的情况实际中应该很少，MOSFET都是大电流开关应用为主。
其实大多数MOSFET手册都有给出Qg，按Qg算方便快捷。

lanos

菜鸟

2013-09-24 11:46 5楼

songzhige

高工

2013-09-25 07:17 6楼

其实大多数MOSFET手册都有给出Qg，按Qg算方便快捷？

怎么算？

Snake0301

高工

2013-09-26 17:46 7楼

宏观的电路模型计算出来的，不知道要不要考虑微观材料模型造成的延时呢？譬如载流子渡越时间之类的。

圆方微电子

菜鸟

2022-11-17 10:56 8楼

本公司提供中低压MOS（生产销售一体），感兴趣的加我VX:13554887234(可提供设计方案，可定制）

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xiongG

高工

2022-12-02 09:48 9楼

大多数MOSFET手册都有给出Qg