FIB主要用途芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。FIB性能参数a)着陆电压范围 - 电子束:350V~30kV- 离子束:500V~30kVb)最小分辨率 - 电子束:0.8nm/30kV- 离子束:2.5nm/30kVc)全新的差分抽取及TOF校正功能,可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积FIB应用范围1.定点切割2.穿透式电子显微镜试片3.IC线路修补和布局验证4.制程上异常观察分析5.晶相特性观察分析6.故障位置定位用被动电压反差分析