SiCMOSFET 具有理想的固有低寄生电容（CGD、CDS、CGS）。
适用高温、高频应用，超低损耗
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单
