1700V国产SiC碳化硅MOS内阻750毫欧ASC5N1700MT7.pdf， 适合组串式逆变器的辅助电源。
TO-263-7封装电气间隙和爬电距离为7.1mm，如图1所示。根据IEC60664-4标准，如图2所示7.1mm的电气间隙可以满足>1800V的峰值电压的要求。 ASC5N1700MT7的推荐门级驱动正电压为12V，负电压为3V。12~15V的电压也在控制芯片I/O口的输出范围之内，因此可以采用控制芯片的I/O口直接进行驱动。现在市场上主流的控制芯片的都可以满足该要求。
1700V国产SiC碳化硅MOS内阻750毫欧ASC5N1700MT7.pdf， 适合组串式逆变器的辅助电源。
TO-263-7封装电气间隙和爬电距离为7.1mm，如图1所示。根据IEC60664-4标准，如图2所示7.1mm的电气间隙可以满足>1800V的峰值电压的要求。 ASC5N1700MT7的推荐门级驱动正电压为12V，负电压为3V。12~15V的电压也在控制芯片I/O口的输出范围之内，因此可以采用控制芯片的I/O口直接进行驱动。现在市场上主流的控制芯片的都可以满足该要求。
