芯片的接触区域真空沉积金属层，实质上这有助于它们的高功率循环应用能力和适合芯片的封装工艺。所有在硅晶圆片上加工处理的芯片在样品测试后，自动标识不符合电气说明的芯片，然后世成小颗粒。芯片颗粒的可形状是正方形或长方形的。玻璃钝化平面处理二极管芯片终端截面的扩散层如图2所示。
现在整个晶片的底部表面可直接焊接到DCB或其他陶瓷基片，而不需要钼片段冲应力。消除了应力缓冲和焊层，减少了热阻，从而增加了阻断电压的稳定性，降低了FRED的正向压降，在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压，所以也降低了二极管的功率损耗。
FRED二极管在整个工作温度范围内性能稳定，并且对于温度的变化，正向电压降的变化可以忽略不计。该二极管是为高频应用设计的，在高频应用时稳定可靠。由于单个芯片通态电流较小，大电流情况下一般并联使用，组成大电流快恢复二极管模块。由于是并联使用，模块的反向恢复时间要比单个芯片的长。并联使用的结构如图2所示。
