EEPW论坛

019年5月15日，长江存储联席首席技术官（Co-CTO）汤强出席GSA MEMORY+峰会，并做了题为《三维闪存技术发展的展望》，给大家讲解了长江存储的三维闪存研发新进展。汤强在峰会上透露长江存储将于今年8月推出Xtacking 2.0。

汤强表示，目前处于数据大爆炸时代，每天都在产生海量的数据，预估到2022年NAND闪存数位量将为861ZB，约为2015年87ZB的10倍。

事实上，存储量的增加跟不上需求的步伐，为了获得更高的存储量，各大NAND存储公司正在寻找更多方法，存储技术从SLC到MLC到FLC，现在正迈向QLC。为了维持更多的竞争力，面对纷繁复杂的各类应用场景的需求，需要定制化的存储方案。

要完成一个新的存储解决方案，开发周期约12-18个月，时间似乎有点漫长。

作为中国三维闪存的先行者，长江存储于2018年8月推出自有技术Xtacking™，在NAND获取到更高的I/O接口速度及更多的操作功能的同时，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

Xtacking™可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，Xtacking™技术只需一个处理步骤，就可通过数百万根金属VIA（Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道）将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

汤强在峰会上表示将于今年8月推出Xtacking 2.0。面对三星、东芝、西部数据、SK海力士、美光等在3D NAND技术上的快速发展，长江存储即将在8月份发布的Xtacking™2.0，是在Xtacking™1.0技术上的突破，意味着在自主研发的路上取得了进一步的成绩，也进一步凸显了其技术优势。

长江存储是中国存储器基地的承担单位，2016年2月23日国务院批复国家存储器基地落户武汉；2016年3月28日国家存储器基地奠基；2016年7月26日长江存储科技有限责任公司成立；2016年12月30日正式开工建设。

长江存储代表国内实现3D NAND量产的全新起点，2018年第四季度进入小规模量产，2019年进入64层256Gb 3D NAND的技术研发；4月11日在“2018供应商大会”上宣布，公司的32层3D NAND芯片已经接获首笔订单，数量达10776颗芯片，将应用在8GB USD卡上，这代表国内3D NAND芯片研发已经跨出成功的第一步，不但研发成功，并且进入商用化！

让我们祝福长江存储明天更辉煌！