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新能源汽车的核心技术，是大家所熟知的动力电池，电池管理系统和整车控制单元。而高性能存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件。无论是BMS，还是VCU，这些系统都需要实时和连续地对当前状态信息进行监控，记录和分析处理。因此需要提高存储器性能和耐久性设计。只有非易失性・高速・高读写耐久性的车规级的存储器FRAM才可以满足所要求的可靠性和无迟延的要求。

FRAM在电池管理系统BMS应用
高烧写耐久性，高速写入操作：
•系统每0.1或1秒，实时和连续地存储重要数据（故障信息,SOH和SOC等）。
•系统需要监控短期（最后几个充电周期，60次/秒）和长期（整个电池寿命）电池性能。

FRAM在整车控制单元VCU中的应用
高烧写耐久性，高速写入操作：
系统需要以每秒一次的频率去实时记录汽车行驶的当前状态和发生故障时的变速器挡位，加速状况，刹车和输出扭矩等信息。

FRAM在T(Telematics）-BOX中的应用
高读写耐久性，高速写入操作：
•系统需要1次/0.2秒的速度，连续记录CAN通信数据。
•系统需要1次/秒的速度，连续地记录位置数据。
•系统要求记录在发生事故前的10秒内，每秒的行驶数据（刹车，发动机转速等）。
上述数据1次/10秒的频率转送到从FRAM转送到Flash里。

富士通FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储领域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户提供产品相关技术支持。