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MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能

  • 　　一个采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能够于高达2MHz/相位下工作，并提供120A电流，且满足负载点电源的瞬态响应要求。 　　与十年之前以单元密度和导通电阻作为器件设计的主要考虑因素相比，功率MOSFET技术在发展方向上正经历着一场重大的变革。如今，并在可以预见的未来，开关速度正在逐步成为负载点（POL）电源应用的决定性因素。对于工作电压为1V或以下且对时钟速度和电流需求更高的下一代微处理器而言，开关速度是满足其供电要求的关键因素。电源的性能将取决于功率MOSFET
  • 关键字：MOSFET模拟IC电源

功率MOSFET并联均流问题研究

  • 对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。
  • 关键字：研究问题MOSFET功率

提高稳压器过流保护能力的 MOSFET

  • 经典的 LM317型可调输出线性稳压器具有相当大的电流承受能力。此外，LM317还具有限流和过热保护功能。
  • 关键字：MOSFET能力保护稳压器提高

起直流稳压(流)电子负载核心作用的功率 MOSFET

  • 设计人员都用直流电子负载来测试电源，如太阳能阵列或电池，但商用直流电子负载很昂贵。你只要将功率 MOSFET在其线性区内使用，就可制作出自己的直流电子负载（图 1）。
  • 关键字：作用功率MOSFET核心负载稳压电子直流

2005年4月21日，瑞萨推出业界最小、最薄的高频功率MOSFET

  • 　　2005年4月21日，瑞萨宣布推出包括5 W输出RQA0002在内的三种高频功率MOSFET，用于手持式无线电设备及类似设备中的传输功率放大，通过使用新工艺和新封装，实现了高效率、并大大减小了封装的尺寸。
  • 关键字：瑞萨MOSFETRenesas

新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B

一种专为IGBT和MOSFET设计的驱动器

  • 介绍了一种专为IGBT和功率MOSFET设计的电力电子驱动器件――SCALE集成驱动器的性能特点和内部结构 。
  • 关键字：驱动器设计MOSFETIGBT专为

基于SG3525A的太阳能逆变电源设计

  • 摘 要：本文主要介绍了SG3525A在研制太阳能逆变电源中的应用，其脉冲波形随设计线路的不同而产生不同的结果，从而解决了随机烧毁功率管的技术问题。关键词：SG3525A；逆变电源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一个课题的具体技术问题。该课题的基本原理是逆变器由直流蓄电池供电，用太阳能为蓄电池充电，然后逆变电源输出220V、50Hz的交流电供用户使用。在研制过程中，有时随机出现烧毁大功率管的现象，本文对这一现象给出了解决方案。图1 SG35
  • 关键字：MOSFET-90N10SG3525A逆变电源模拟IC电源

2004年6月7日，瑞萨推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

  • 　　2004年6月7日，瑞萨发布HAT1125H–30V击穿电压P沟道功率MOSFET。与瑞萨先前的产品相比，HAT1125H的导通电阻大约减小了25%，是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低，将有助于设计小型、节省空间的系统。
  • 关键字：瑞萨MOSFETRenesas
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