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  英飞凌文章进入  英飞凌技术社区

如何手动计算IGBT的损耗

  • 现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及,大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成,节省了不少精力,不得不说这对工程师来说是一种解放,但是这些工具就像黑盒子,好学的小伙伴总想知道工作机理。其实基础都是大家学过的基本高等数学知识。今天作者就帮大家打开这个黑盒子,详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。我们先来看一个IGBT的完整工作波形:IGBT的损耗可以分为开关损耗和导通损耗,其中开关损耗又分为开通和关断两部分,下面我分别来看一下各部分的计算推导过程。开关损耗-开通部分我们先来看一下理想的
  • 关键字:英飞凌IGBT

英飞凌第一财季利润可观,鉴于汇率影响略微上调对2023财年的展望

  • 英飞凌科技股份公司发布了2023财年第一季度财报(截至2022年12月31日)。● 2023财年第一季度:营收达到39.51亿欧元,利润达到11.07亿欧元,利润率为28%● 2023财年第二季度展望:假设欧元兑美元汇率为1:1.05,预计营收将达到约39亿欧元,在此基础上,利润率预计将达到25%左右● 2023财年展望:即便现在假设欧元兑美元汇率为1:1.05(之前为1:1.00),英飞凌在2023财年的营收预计仍将达到约155亿欧
  • 关键字:英飞凌

科技如何影响个人健康:英飞凌智能半导体解决方案助力实现健康的生活方式

  • 【2023年01月31日,德国慕尼黑讯】智能设备不仅让我们的生活变得更加轻松和便捷,还能帮助我们实现健康的生活。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的半导体解决方案正在通过多种方式使物联网(IoT)成为健康生活方式中的关键组成部分。到2050年,全球60岁以上的人口将超过20亿。同时根据世界卫生组织的数据,80岁以上的人口将是现在的三倍。医疗保健对于个人和社会的重要性正在与日俱增。因此,健康和积极的生活方式将成为帮助人们尽可能延长高质量生活时间的关键。在这种情况下,物联
  • 关键字:英飞凌智能半导体

英飞凌携手NuCurrent部署市场领先的智能门锁与能量采集技术

  • 【2023年01月31日,德国慕尼黑和美国伊利诺伊州芝加哥讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布全球无线电源系统领域的权威企业NuCurrent将成为英飞凌的首选合作伙伴(Infineon Preferred Partner)。双方将共同合作,提高近场通信(NFC)技术在能量采集和充电应用方面的性能与可扩展性。英飞凌的NFC标签侧控制器集成了半桥驱动IC和能量采集模块,可提供单芯片解决方案,用于开发能够在无源或有源模式下运行的、具有高性价比的小型化执行终端或传感应
  • 关键字:英飞凌NuCurrent智能门锁能量采集

英飞凌与Resonac于碳化硅材料领域展开多年期供应及合作协议

  • 英飞凌科技与其碳化硅 (SiC) 供货商扩展合作关系,宣布与 Resonac (前身为昭和电工) 签订多年期供应及合作协议,以补充并扩展双方在 2021年的协议。新合约将深化双方在 SiC 材料的长期合作,根据合约内容,Resonac将供应英飞凌未来10年预估需求量中双位数份额的SiC半导体。 英飞凌工业电源控制事业部总裁 Peter WawerResonac将先供应6吋的SiC晶圆,并将于合约期间支持过渡至 8 吋晶圆,英飞凌亦将提供 Resonac 关于 SiC 材料技术的智财 (IP)。双
  • 关键字:英飞凌Resonac碳化硅

英飞凌科技:迎接低碳化和数字化新挑战

  • 以万物互联、高效清洁能源、绿色智能个性化出行为代表的低碳化、数字化长期发展趋势是未来十年塑造世界的主要力量,会逐渐渗透到各个行业,推动着半导体需求的持续增长。2022 年对于英飞凌来说是创纪录的一年。 由于敏锐地抓住了低碳化发展和数字化转型的趋势,基于正确的战略性定位,英飞凌在过去几年营收和利润持续增长,2022 财年录得营收142.18 亿欧元,同比增长29%,创下了新高。数字化、低碳化的发展趋势还在进一步加速,所以,现在正是设定一个更具雄心的目标运营模式的时机。英飞凌上调了其长期财务目标,预计2023
  • 关键字:202301英飞凌

英飞凌推出PQFN封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET

  • 未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势,英飞凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖25-150 V,并且有底部散热(BSC)和双面散热(DSC)两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进,为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案,同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。该新产品系列采用了英飞凌
  • 关键字:英飞凌源极底置功率MOSFET

英飞凌TRAVEO™ T2G-C系列微控制器和Altia CloudWare™软件平台亮相CES 2023,简化显示器相关应用

  • 英飞凌科技股份公司与全球领先的图形用户界面(GUI)设计和开发工具提供商Altia近日宣布双方达成合作。2023年初,Altia CloudWare™软件平台开始支持英飞凌TRAVEO™ T2G-C系列微控制器(MCU),赋能显示器相关应用。在近期举办的2023年国际消费电子展(CES 2023)上,全球电源系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌和Alita分别展示了TRAVEO™ T2G-C系列微控制器和CloudWare™软件平台,并进行了相关演示。英飞凌科技产品营销和业务发展总监Marcelo Wil
  • 关键字:英飞凌微控制器AltiaCES 2023显示器

英飞凌携手Green Hills Software,提供基于TRAVEO™ T2G系列微控制器的、完整的汽车安全解决方案

  • 英飞凌科技股份公司与嵌入式安全领域的全球领导者Green Hills Software展开合作,为汽车行业高级安全应用的开发和部署提供完善的生态系统。该项合作结合了英飞凌领先的TRAVEO™ T2G车身及仪表盘微控制器系列产品,以及Green Hills经过生产验证、全面的软件解决方案,其中包括:● ASIL认证的、运行速度快的超小型操作系统——μ-velOSity™实时操作系统(RTOS)● ASIL认证的MULTI®高级开发环境通过整合相关专有技术,英飞
  • 关键字:英飞凌Green Hills微控制器

英飞凌推出全新的物联网传感器平台,即XENSIV™连接传感器套件

  • 物联网生态系统和联网设备解锁了新的服务产品与外围服务。但是,在部署智能物联网系统之前,利用传感器进行物联网用例的原型创建流程会消耗大量的资源。为帮助硬件和软件工程师开发物联网设备,英飞凌科技股份公司近日推出了全新的物联网传感器平台,即XENSIV™连接传感器套件(CSK),旨在加速原型创建和定制物联网解决方案的开发。英飞凌科技电源与传感系统事业部物联网和传感器解决方案副总裁Laurent Remont表示:“客户当前面临的最大的挑战之一是如何将传感器、微控制器和安全连接相融合。为此,英飞凌开发了XENSI
  • 关键字:英飞凌物联网传感器

英飞凌与Rainforest Connection合作,利用先进的传感器技术保护雨林

  • 【2023年01月06日,德国慕尼黑讯】保护雨林是应对气候变化的重要举措,但是非法砍伐和森林野火正在威胁着这些地球上生态最脆弱的地区。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX /OTCQX代码:IFNNY)正在进一步扩展与非政府组织Rainforest Connection(RFCx)的合作。双方的共同目标是用现代化的传感器技术监测雨林等地球上生态比较脆弱的地区。 Rainforest Connection的工作通常借助由太阳能供电的设备来开展,这些设备名为Guardian(守卫者),
  • 关键字:英飞凌Rainforest Connection传感器

通过栅极驱动器提高开关电源功率密度

  • 像许多电子领域一样,进步持续发生。目前,在 3.3kW 开关电源 (SMPS)中,产品效率高达 98%,1U结构尺寸,其功率密度可达 100 W/in³。这之所以可以实现是因为我们在 图腾柱 PFC 级中明智地选择了超结 (SJ) 功率 MOSFET(例如CoolMOS™),碳化硅 (SiC) MOSFET(例如 CoolSiC™),而且还采用了氮化镓 (GaN) 功率开关(例如 CoolGaN™)用于400V LLC 应用。PFC 和 LLC 数字控制器是必不可少,正如采用平面磁性器件和先进的栅极驱动器
  • 关键字:英飞凌栅极驱动器开关电源

英飞凌OktoberTech诠释低碳化和数字化增长双引擎

  • 2022年12月14日-15日,英飞凌科技(中国)有限公司成功在线举办了以“数字智能、低碳未来” 为主题的OktoberTech™英飞凌生态创新峰会。OktoberTech™是英飞凌主办的全球性年度创新峰会,旨在展示前瞻性技术,推动低碳化和数字化进程。今年是OktoberTech™首次在大中华区亮相。本届OktoberTech™英飞凌生态创新峰会由主论坛以及“英”领未来出行、“英”领绿色能源、“英”领万物互联三大平行分论坛组成。峰会在集中展示英飞凌大中华区生态圈建设最新阶段性成果的同时,重点分享了在低碳化
  • 关键字:英飞凌OktoberTech低碳化数字化

寻求促进增长,英飞凌将斥资十亿欧元收购

  • 据业内信息,近日英飞凌(IFXGn.DE)首席执行官Jochen·Hanebeck在采访中表示,正在不断寻求收购以促进增长,英飞凌计划准备斥资数十亿欧元用于收购合适的目标。这家德国芯片制造商一直在寻找合适的公司来促进自己的扩张,Hanebeck认为合适的目标可以在高达几十亿欧元的范围内。从智能手机到汽车等各种领域对芯片的需求猛增,而持续近两年的供应链瓶颈困扰着从汽车到医疗保健和电信等全球行业。英飞凌报告称,在截至今年Q3季度末的财年中利润增长了63%,达到34亿欧元,该公司表示其增长尤其体现在电动汽车、自
  • 关键字:英飞凌

SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗?

  • 众所周知,“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代,英飞凌的沟槽型IGBT(例如TRENCHSTOP系列)和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代,市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞,而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”,就不会干别的了吗?非也。因为SiC材料独有的特性,SiC MOSFET选择沟槽结构,和IGBT是完全不同的思路。咱们一起来捋一捋。关于IGBT使用沟槽栅的原因及特点,可以参考下面两篇文章:● 英飞凌芯片简史● &n
  • 关键字:英飞凌MOSFET

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