- 功率器件在我国还属于朝阳产业，就其在中国发展的历程来看，从20世纪50年底的可控硅SCR发展到80年代的较为成熟的绝缘栅双极晶体管IGBT，发展时间较短。就其增长速度来看，市场规模增长速度较快，高于我国制造业的平均增长速度，并已经成为了全球最大的功率器件市场。 根据统计局的数据显示，2013年，我国功率器件销售额比2012年增长9.9%，销售金额达到1804.87亿元。就其下游需求行业来看，无论是从生活联系紧密的数码相机、LED电视、手机到新能源汽车、工业控制，均是目前成长良好需求广阔甚至在未来
- 关键字：功率器件半导体LED
- IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是未来应用发展的必然
- 关键字：功率器件IGBT
- 三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)日前在参加2014年PCIM亚洲展时，估计功率器件市场在整体经历了2012年的业绩下滑后，市场正在逐渐恢复并升温，预计到2016年，整体业绩可以回复到2011年的历史高峰。 为了满足市场需要，三菱电机功率半导体制作所总工程师佐藤克己先生表示，三菱电机持续每年投入产品研发，降低产品的重量、尺寸和损耗，最终实现提升性能和降低成本。现时集中发展第7代IGBT模块、混合碳化硅产品、工业用DIPIPMTM、以及新的IPM系列。
- 关键字：三菱电机功率器件
- 日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。 展示产品简介: IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 东芝在IGBT的基础上成功研发出&
- 关键字：东芝功率器件光耦
- 通过对众多公司的访问，发现数字电源是增长很快的领域;功率器件的效能在提升，封装是其创新的一个重要部分;电源模块正面向特定的应用和客户，提供端到端的解决方案;电源芯片向微纳功耗和能量采集领域挺进;电源测试在从单台仪器向整体解决方案转型。
- 关键字：电源功率器件电源管理能量采集201404
- 本文介绍了一种“总体分布、局部集中”式的轿车车门控制器设计方案，即以安森美半导体系统基础芯片NCV7462和...
- 关键字：前车门控制器感应电阻器功率器件
- 虽然电动汽车完全成为主流还需要一定的时间，但一些制造商深信面向大众市场的零排放汽车时代已经来临。当谈到针对未来交通开发的技术时，电动汽车和电池产业毫无疑问是焦点所在，当前研发工作重点放在提高电池存储容量和加快电池充电时间。通过与汽车和电池制造商的合作，TEConnectivity公司目前正在为这一新兴市场领域开发新的技术和解决方案。 下图显示了PPTC技术如何应用于混合动力汽车和电动汽车电池模块中的过温检测。该例使用了一个热敏传感器阵列来监视单节电池故障。由于给PPTC器件加热会使器件电阻迅速非
- 关键字：电动汽车电源功率器件
- 日前，电子发烧友网携手飞兆半导体等业界五大知名厂商，成功举办“2013电源管理技术研讨会”，200多位技术研发工 ...
- 关键字：绿色电源高性能功率器件
- 2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南...
- 关键字：Si基GaN功率器件
- 驱动IGBT电压型功率器件有多种具有保护及隔离功能的集成驱动模块。这些模块具有多种保护功能、隔离驱动...
- 关键字：功率器件IR2110IGBT
- 尽管内燃机驱动的汽车可以相对轻松地从12V电池供电和相应的12V/14V交流马达获取车载系统的电气需求，但由...
- 关键字：功率器件混合动力车
- 开关电源一直是电子行业里非常热门的技术，而它的发展趋势又是大家必须时刻关注的问题，不然一不留神就会跟...
- 关键字：功率器件开关电源电源
- IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和...
- 关键字：隔离驱动功率器件
- 大型电力电子设备中，随着温度的增加，失效率也增加，因此大功率高压变频器功率器件的热设计直接关系到设备的可...
- 关键字：大功率高压变频器功率器件
- GaN是什么? 什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化学元素来解释就是V族化合物。六方晶系铅锌矿型结构，为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。 GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被
- 关键字：GaN功率器件
功率器件介绍
您好，目前还没有人创建词条功率器件!
欢迎您创建该词条，阐述对功率器件的理解，并与今后在此搜索功率器件的朋友们分享。
创建词条
关于我们-
广告服务-
企业会员服务-
网站地图-
联系我们-
征稿-
友情链接-
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
