了解推挽式B类放大器的工作原理，如何计算其效率，以及其性能与电感性负载A类设计的比较。正如我们在上一篇文章中所讨论的，单晶体管B类放大器（图1）使用高Q谐振电路作为负载来抑制较高的谐波分量。通过使用高Q谐振电路，输出电压仅包含基波分量，使放大器能够忠实地再现输入信号。通过短接谐波分量，高Q谐振使输出电压成为基频的正弦波，尽管集电极电流是半波整流的正弦波。 单晶体管B类RF放大器的电路图。图1：单晶体管B类RF放大器。除了使用高Q电容器，我们还可以通过迫使两个半正弦波脉冲以相反方向通过负载来消除B
关键字：推挽式 功率放大器
B类功率放大器是如何工作的？是什么让它比A类功率放大器更高效？在这篇文章中了解答案。高效射频功率放大器（PA）在许多应用中都至关重要，从手持通信设备到大型有源元件相控阵天线。例如，在上述手持设备中，更高的效率意味着更低的功耗，从而可以延长通话时间。我们在之前的文章中了解到，电感性负载的A类放大器提供的最大可获得效率仅为50%。本文介绍了B类功率放大器，其理论最大效率为78.5%。在讨论了B类放大器的基本特性后，我们将探讨效率差异的原因。请注意，本文中使用的分析表达式是近似的，因为它们涉及大信号和强非线性，
关键字：功率放大器
了解电感负载共射极级如何用作功率放大器。本系列的前一篇文章讨论了使用电阻性负载共发射极电路作为功率放大器（PA）的挑战和局限性。在最后一节中，我们了解到，通过使用大型电感器作为共发射极配置的负载，可以解决许多挑战。在本文中，我们将更全面地研究电感性负载的A类放大器。让我们从图1中的基本电感性负载共射极配置开始我们的研究。电感负载共射极放大器的电路图。 图1：电感负载共射极放大器的简单版本您可能已经注意到，图1看起来与我们上次介绍的电感负载PA有些不同。与本文稍后将讨论的放大器版本不同，该电路缺少
关键字：电感负载共射极放大器 功率放大器
射频放大器设计是一项具有挑战性的任务，涉及线性度、效率、增益和输出功率之间的权衡。在这里，我们研究共发射极电路如何能够或不能用作功率放大器。本系列之前的文章讨论了小信号放大器，它通常设计用于增益和线性，而不是功率传输。如果接下来的电路具有纯电容输入阻抗，则小信号放大器可能会提供特定的电压或电流增益，而不会向实际负载传输任何明显的功率。由于小信号放大器不处理高功率电平，因此功率处理能力和功率效率也不是其主要设计要求。在接下来的几篇文章中，我们将讨论一些截然不同的内容：射频功率放大器。功率放大器（PA）出现在
关键字：射频放大器 功率放大器
车载功放辐射发射案例评论：此案例应该指出PCB板与金属外壳的连接方式（是否连接，怎么连接）。以分析骚扰路径。
关键字：功率放大器 汽车电子
RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术，有时设计具有一定挑战性；但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文，了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差异。如今，电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的——此处“负面”和“负极”并非双关语——但今天，有一些技术使这种栅极负压操作变得微不足道。今天，我们拥有电源管理集成电路（PMIC）器件，可以轻松可靠地为这些GaN PA通电和断电，以及PMIC所带来更多其他优势。我们将在下
关键字：Qorvo GaN 功率放大器
假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。
关键字：pHEMT 功率放大器 有源偏置
假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。引言图1显示了耗尽型pHEMPT RF放大器的简
关键字：ADI pHEMT 功率放大器
我们设计了一个使用 MOSFET 的功率放大电路，可产生 100W 的输出功率，驱动约 8 欧姆的负载。 所设计的功率放大电路具有效率高、交叉失真和总谐波失真的优点。工作原理：该电路采用多级功率放大原理，包括前置放大器、驱动器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驱动级是带有电流镜负载的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 类工作方式。与 BJT 相比，MOSFET 具有驱动电路简单、热稳定性较低、输入阻抗高等优点。前置放大器由两级差分放大器电路组成，用于产生无噪声放大信号
关键字：功率放大器 MOSFET
功率放大电路是输出阻抗最小的电路，用于驱动扬声器等负载，这些负载需要低阻抗大功率。在这里，我们设计了一个使用推挽式 AB 类配置的功率放大器电路，以获得 150W 的功率来驱动 8 欧姆的负载（扬声器）。功率放大器电路的原理：该电路的基本原理是双极结型晶体管的不同偏置方式。 麦克风输出的电信号非常低。使用 CE 配置的双极结型晶体管在 A 类模式下偏压，可将该低压信号放大至可持续电平。在这种模式下，输出为反相放大信号。该信号为低功耗信号。 以 AB 类配置排列的两个达林顿功率晶体管可放大该信号的功率电平。
关键字：功率放大器
学习模拟电子技术基础，和电子技术相关领域的朋友，在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管（MOS管）了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢？在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢？学习模拟电子技术基础，和电子技术相关领域的朋友，在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管（MOS管）了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢？在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢？首先我们明确一下二者的概念三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控
关键字：功率放大器 MOS
● 全新的迭代学习控制算法将功率放大器的数字预失真测试时间从几小时缩短到几分钟● 测试方法助力功率放大器制造商缩短研发周期并加快上市时间● 汉威光电（Hexawave） 是 富采控股（Ennostar Group ）的子公司，率先采用全新的测试方法来表征高效宽带砷化镓功率放大器是德科技公司近日宣布，推出全新的迭代学习控制（ILC）测试方法极大缩短功率放大器的数字预失真 (DPD) 测试时间。是德科技提供先进的设计和验证解决方案，旨在加
关键字：是德科技 功率放大器 数字预失真测试
多射频设计人员都对 Franklin Douglass 的名言深有同感：“没有斗争就没有进步。”在为 5G 进行设计时，尤其如此。科技有望改变无线通信，但也会带来设计难题。利用功率放大器模块 (PAM) 来化解。以下是你需要知道的一切。这篇博文首次发布在 Mouser Electronics 网站https://www.mouser.com/blog/power-amplifier-modules-role-5g-design 上。5G 是无线通信市场领域有史以来十分重要的强大技术之一。与 4G 相比，5
关键字：Qorvo 功率放大器 5G
摘要：针对WIFI 6E频段的设备需求，设计了一款工作在5.9 GHz~7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体 管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构，采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管在 大功率输入下偏置点变化及自热效应引起增益及线性度恶化的问题。测试结果表明，在5.9 GHz~7.2 GHz频段 内，功率放大器增益＞27 dB，输出饱和功率＞1 W，附加效率＞24 %，芯片面积：1.24 mm×1.27 mm。关键词：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
关键字：202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
功率放大器原理利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。因为声音是不同振幅和不同频率的波，即交流信号电流，三极管的集电极电流永远是基极电流的β倍，β是三极管的交流放大倍数，应用这一点，若将小信号注入基极，则集电极流过的电流会等于基极电流的β倍，然后将这个信号用隔直电容隔离出来，就得到了电流（或电压）是原先的β倍的大信号，这现象成为三极管的放大作用。经过不断的电流放大，就完成了功率放大。功率放大器基本组成功率放大器通常由3部分组成：前置放大器、驱动放大器、末级
关键字：功率放大器 PA
功率放大器介绍
功率放大器简介 利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。因为声音是不同振幅和不同频率的波，即交流信号电流，三极管的集电极电流永远是基极电流的β倍，β是三极管的交流放大倍数，应用这一点，若将小信号注入基极，则集电极流过的电流会等于基极电流的β倍，然后将这个信号用隔直电容隔离出来，就得到了电流(或电压)是原先的β倍的大信号，这现象成为三极管的放大作用 [
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