- 近日，研发人员在开发纳米级芯片时遇到的重大难题——功率泄漏（power leakage），看起来有了福音。为了解决这一瓶颈问题，欧盟向某一研发团体协会资助550万美元以解决这一难题。 该协会的主要成员STMicroelectronics在当地时间周二（北京时间周三）发布的一份声明中称，该协会的研发项目旨在改进下一代芯片系统半导体的设计，解决65纳米及其以下纳米CMOS出现功率泄漏的问题。 据悉，该项称为CLEAN的计划将得到欧盟第六次框架项目下纳米电子计划的资助。功率泄漏
- 关键字：功率纳米欧盟芯片
- 介绍了一种新颖的电流临界导通（DCMboundary）的功率因数校正（PFC）芯片。它的主要特点是提高了高电压输入时的功率因数，减少了输入电流的总的谐波含量（THD）
- 关键字：校正芯片研究因数功率电流临界新颖
- 本设计实例采用的6L6束射功率管尽管已经存在了66年，现仍然十分流行地应用于电吉他放大器中，与其同类的6CA7 (EL34)功率五极管也是高保真音响"发烧友"之所爱。这些电子管的开发人员将它们设计得以五极管模式工作，而在这种模式下它们能够输出最大的音频功率。另一方面，许多高保真音响爱好者更喜欢以三极管模式工作，而且直到现在也不得不将输出功率降低50%。输出功率降低意味着他们需要更大的电源和两倍数量的昂贵电子管来从三极管放大器中获得五极管的功率。图1a、1b和1c分别示出了将6L6变为五极管、实三极管和
- 关键字：升压三极管功率
- 摘 要：Si9114是Siliconix公司新近推出的电压变换控制集成电路。它的开关频率更高，可达到1MHz,这样就可以减小储能元件的尺寸，使采用陶瓷电容器变成可能，提高了系统的可靠性，降低了成本。Si9114还有同步输出引线，使得多个Si9114的并联工作很容易实现。本文就Si9114的工作原理进行了分析，并给出了用该电路组成的在电讯领域广为应用的48V到5V的DC-DC变换串的应用电路 关键词：电源；开关；控制；功率；DC变换；软启动 1 引言
- 关键字：电源开关控制功率DC变换软启动模拟IC电源
- 摘要：CS5460是CRYSTAL公司最新推出的带有串行接口的单相双向功率/电能计量集成电路芯片，该芯片比目前比较流行的电子电度表芯片如AD7750、AD7755更容易实现与微处理器的连接。用CS5460可以方便的组成多功能电子式电度表和分布电度表和分布式电能计量管理系统。本文详细地介绍了 CS5460的功能和使用方法。 关键词：CS5460；串行接口；功率/电能；计量；应用 1. 概述 CS5460是CRYSTAL公司最新推出的带有串行接口的单相双
- 关键字：CS5460串行接口功率/电能计量应用
- ＩＲ２１６７是完全集成、完全保护，可驱动所有类型荧光灯的６００Ｖ电子镇流器控制芯片。ＰＦＣ电路以临界导通模式（ＣＣＭ）工作，可获得很高的功率因数，
- 关键字：芯片IR2167控制镇流器因数校正功率
- 最近20年来，功率器件及其封装技术的迅猛发展，导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的市场要求电力电子装置要具有宽广的应用范围、量体裁衣的解决方案、集成化、智能化、更小的体积和重量、效率更高的芯片、更加优质价廉
- 关键字：应用技术器件模块功率现代
- 对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。
- 关键字：研究问题MOSFET功率
- 设计人员都用直流电子负载来测试电源，如太阳能阵列或电池，但商用直流电子负载很昂贵。你只要将功率 MOSFET在其线性区内使用，就可制作出自己的直流电子负载（图 1）。
- 关键字：作用功率MOSFET核心负载稳压电子直流
- 自从宽带码分多址 (W-CDMA) 技术于 1997 年面世以来，便一直成为欧洲、中国及日本等地的电话厂商所共同采用的第三代 (3G) 蜂窝式移动电话标准。W-CDMA 移动电话采用直接顺序码分多址 (DS_CDMA) 技术，而且其传送原始数据的速度可以高达 3.84Mbps。
- 关键字：增益射频功率线性LMV228手机充分利用W-CDMA
功率介绍
概述 功率是指物体在单位时间内所做的功，即功率是描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。 求功率的公式为功率=功/时间 求功率的公式也为P=W/t =UI=I方R=U方/R P表示功率，单位是“瓦特”，简称“瓦”，符号是“w”。W表示功，单位是“焦耳”，简称“焦”，符号是“J”。t表示时间，单位是“秒”，符号是“s”。因为W=F（f 力）*s（s位移）（功的 [
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