- 英飞凌科技股份公司与台湾积体电路制造股份有限公司今日共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。根据该项协议，英飞凌与台积电将携手开发65纳米工艺技术，用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器(MCU)。 与TSMC扩大合作符合英飞凌制造外包及通过合作大力开发65纳米以下工艺的战略。对于汽车应用而言，65纳米嵌入式闪存工艺可确保最高的功能集成度，实现即将出台的
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- 国内知名的晶圆代工厂上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体) 日前在上海总部举办了自2003年投片生产以来的首次技术论坛。此次论坛得到了宏力半导体客户的积极支持，不仅上海客户踊跃参加，更有多家北京、深圳和华东地区的客户专程来沪与会。同时，产业主管部门、行业协会以及合作伙伴等各方也派代表出席。会场气氛热烈，座无虚席。 宏力半导体首席执行官舒马赫博士 (Dr. Ulrich Schumacher) 率先演讲，坦陈公司发展策略、未来规划以及公司架构。接着，销售市场及服务资深副总卫彼得博士 (Dr.
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- 上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。 宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。该授权闪存技术具有单元尺寸小，编程效率高和无过度擦除的优点，显著减少了嵌入式闪存模块的面积，在市场上极具竞争力。与此同时，此新技术具有极高的耐擦写能力和数据保持特性，可重复擦写10万次，数据可保留100年。 该新制程兼容了宏力半导体0.13微米所有的通用和低
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- 中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”),世界领先的集成电路制造公司之一，与领先的非易失性内存产品和 IP 供应商常忆科技今日共同宣布，已成功推出中芯国际0.18微米嵌入式闪存工艺技术和 IP 組合包。 基于常忆科技第三代 2T PMOS flash (pFLASH(TM)) 单元结构专利，中芯国际的0.18微米嵌入式快闪记忆体工艺，是芯片代工领先业者和嵌入式非挥发性记忆体专业厂商紧密合作的成果，现已全面通过认证并即将批量生产。这一工艺技术可为客户提供高性能，符合成本
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- 飞利浦日前宣布其0.18微米CMOS嵌入式闪存/EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，其0.14微米嵌入式闪存/EEPROM已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产，这也是飞利浦第二家符合这一工艺生产要求的工厂。 飞利浦称，嵌入式闪存和EEPROM存储器已成为当今许多片上系统解决方案的一个重要组成部分。它不但提供了在生产线上用不同的软件对这些芯片进行编程或进行现场软件升级的能力，还实现了对重要的本地数据例如PIN密码或地址簿信息的存储，并且可以在设备断电的时候保
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