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功率半导体晶元浪涌击穿的分析与研究

  • 整流桥击穿短路失效,故障表现为桥堆内部二极管晶元浪涌击穿。本文从整流桥失效机理、器件结构、生产过程可靠性等方面分析,通过采用X-ray、超景深微镜、QT2等设备对器件进行全面分析论断。通过研究分析发现,此故障为晶元焊接后清洗不良所致,焊接过后晶元周围多余焊料未清洗干净,导致晶元耐电压能力下降。整改从清洗环节入手,通过更改清洗溶液比重,以及建立报警和可追溯机制,杜绝此故障发生。
  • 关键字:晶元锡渣清洗不良浪涌击穿比重202109
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清洗不良介绍

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