- 为了达到PCM改进高性能/高密度发展进程中的下一个里程碑，正在采用的一个途径是在截面尺寸10-100nm的高深宽比 ...
- 关键字：相变存储器GeSbTeMOCVD
- 相变存储器(PCM)与存储器技术简介,相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和MLC NAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD) 和固态硬碟(SSD)等系统解决方案，*估PCM的相对成本、效能和可靠度，可以了解PCM适用于哪里些应用领域，
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- 相变存储器(PCM)与存储器技术的比较分析, 相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和MLC NAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD) 和固态硬碟(SSD)等系统解决方案，*估PCM的相对成本、效能和可靠度，可以了解PCM适用于哪里些应用领域
- 关键字：存储器分析比较PCM相变技术
- 相变存储器--非易失性计算机存储器技术介绍,相变存储器(可缩略表示为PCM、PRAM或PCRAM)是一种新兴的非易失性计算机存储器技术。它可能在将来代替闪存，因为它不仅比闪存速度快得多，更容易缩小到较小尺寸，而且复原性更好，能够实现一亿次以上的擦写次数。本文
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- 摘要：基于相变存储器(PCM) 已有的2T2R 结构，提出一种以比值为导向的状态定义方法，以实现2T2R 结构下PCM 的多值存储。它在相变电阻具有4 态可编写的能力下，可以实现单元内8 态存储，同时对小尺寸验证，而对PCM 存
- 关键字：设计存储可靠性存储器相变
- 实现全新存储器使用模型的新型存储器--相变存储器,从下面的几个重要特性看，相变存储器（PCM）技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求：容量
ndash; 因为消费电子、计算机、通信三合一的应用趋势，所有电子系统的代码量都以幂指数的速率增长，数据增长速率甚
- 关键字：存储器新型相变模型使用全新实现
- 相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法,BM苏黎世研究中心的科学家们日前表示，已经发现能够可靠地在相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法。该小组采用90nm工艺技术，在200k单元阵列中实现了每存储单元为四层(2位元)，并表示已开发出一种编码方法，能克
- 关键字：多个方法储存单元存储器PCM相变
- 引言 相变存储器（PC2RAM）是一种新型半导体存储器，在研发下一代高性能不挥发存储技术的激烈竞争中，PC2RAM在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、功耗等方面的诸多优势显示了极大的竞争力，得到了较快
- 关键字：电路设计驱动存储器相变
- 相变存储器(PCM)与存储器技术的比较, 相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和MLC NAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD) 和固态硬碟(SSD)等系统解决方案，*估PCM的相对成本、效能和可靠度，可以了解PCM适用于哪里些应用领
- 关键字：存储器比较技术PCM相变
- 相变存储器--非易失性计算机存储器技术, 相变存储器(可缩略表示为PCM、PRAM或PCRAM)是一种新兴的非易失性计算机存储器技术。它可能在将来代替闪存，因为它不仅比闪存速度快得多，更容易缩小到较小尺寸，而且复原性更好，能够实现一亿次以上的擦写次数。
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- 相变存储器：能实现全新存储器使用模型的新型存储器,从下面的几个重要特性看，相变存储器（PCM）技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求： 容量
C 因为消费电子、计算机、通信三合一的应用趋势，所有电子系统的代码量都以幂指数的速率增长，数据增长速率甚至更
- 关键字：存储器模型新型使用全新实现相变
- 日立有限公司与瑞萨科技（Renesas）宣布，为了满足新一代高密度片上非易失性存储技术的需求，双方共同开发出了运行于1.5V电源电压的512KB（相当于4Mb）相变存储模块，该器件能够实现416KB/s的写入速度和20ns的读取时间。利用以前开发的100μA（Micro[注1]安培）写入操作电流的“低功耗相变存储单元”，两家公司在新模块中开发了一种可以实现高速读写操作的外设电路技术。 日立和瑞萨以前开发过一种低功耗操作相变存储器，它在界面层使用了
- 关键字：消费电子日立瑞萨相变存储模块消费电子
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