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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件

  •   富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。   与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化,从而可以通过硅晶圆直径的增加,来实现低成本生产。按照此目标,富
  • 关键字:富士通功率器件硅基板

蓝宝石基板降价的原因及对LED产业的影响

  • 对LED厂商第3季业绩的预估,因第2季产能利用率已开始提升,预估高峰期在7月~8月,而且将持续释放,故2011年第3季营...
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硅基板介绍

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