第四代半导体文章进入第四代半导体技术社区

中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破

• 近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3异质外延薄膜的大面积生长和高性能的器件应用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，简单二元组成，带隙可调，制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。在β-Ga2O3薄膜生长方面，研究团队利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长。并通过改变反应物前驱体和精密控制生长参数，成功实现了β-Ga2O3
• 关键字：第四代半导体氧化镓科研