- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。 AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代场截止沟槽技术，大幅度降低了传导和开关损耗。此外，这款新器件的焊前金属可实现双面冷却，提高了散热性能，
- 关键字：IRIGBT逆变器
- 9月8日，随着第一批高压大功率晶闸管正式投片，国内最大的大功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产。 为满足国民经济发展的急切需求，打破国外公司的市场垄断，推动大功率半导体产业上水平、上规模，中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司(南车时代电气)依托公司良好的技术基础，总投资近3.5亿元，于2006年年底启动大功率半导体器件研发及产业化基地的建设，历经22个月后实现正式投产。 位于湖南株洲的生产基地总面积超2万平方米，部分净化级别达到了100级，由于产品对生产环境的要求极其苛刻
- 关键字：半导体器件IGBT二极管
- 中国最大的大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地近日在湖南株洲正式投产。长期以来，高端半导体器件技术和市场一直被国外垄断，该基地的投产运行将加速推动国产化大功率半导体器件产业化进程。 大尺寸功率半导体器件(晶闸管、IGBT、IGCT均属于大尺寸功率半导体器件)是变流器的关键元件，被誉为电力电子产品的“CPU”，广泛用于轨道交通、电力(高压直流输电、风力发电)、化工、冶炼等领域。长期以来，国内高端半导体器件技术和产品主要依靠进口，价格昂贵，严重制约民族工业的快速发展。
- 关键字：半导体晶闸管IGBT
- 从普通串级调速原理入手，简要分析影响串级调速系统功率因数的主要因素。对三相四线双晶闸管串级调速、新型GTO串级调速等高功率方案分析与比较的基础上，提出了一种新型三相四线制双IGBT串级调速控制方案。
- 关键字：IGBT斩波串级调速系统
- 英飞凌科技股份公司在功率电子半导体分立器件和模块领域连续第六年稳居全球第一的宝座。据IMS Research公司2009年发布的《功率半导体分立器件和模块全球市场》报告称，2008年，此类器件的全球市场增长了1.5%，增至139.6亿美元(2007年为137.6亿美元)，而英飞凌的增长率高达7.8%。现在，英飞凌在该市场上占据了10.2%的份额，其最接近的竞争对手份额为6.8%。在欧洲、中东和非洲地区以及美洲，英飞凌也继续独占鳌头，分别占据了22.8%和11.2%的市场份额。 随着汽车、消费和工
- 关键字：英飞凌IGBTMOSFET
- 经济领域有两大活跃因子：技术与资本。走进凤凰半导体科技有限公司，你可以感受到这两大活跃因子结合后迸发出的强劲效应。这家注册于2008年7月的“530”企业，一期工厂已开始安装设备。今年9月正式投产后,其生产的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片将填补国内空白，告别同类产品依赖进口的局面。 刚满“周岁”的凤凰半导体就将进入产业化阶段,其速度令人惊奇，但在总经理屈志军看来,这一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士团队拥有国际一流技术;二是拥有
- 关键字：变频开关IGBT
- IGBT综述
1．1 IGBT的结构特点
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器
- 关键字：IGBT600系统逆变器
- 引 言 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特
- 关键字：电路研究保护驱动EXB841IGBT基于电源
- 在日益增长的变频器市场，许多厂商提供性能和尺寸各异的变换器类型。这正是以低损耗和高开关频率而著称的新IGBT技术施展的舞台。在62毫米（当前模块的标准尺寸）模块中使用新IGBT技术使用户可以因不必改变其机械
- 关键字：IGBT性能
- 摘要：本文通过分析IGBT的结构及其安全工作区，解释了在实际应用中可能造成其损坏的原因，并利用硬件电路结合单片机的控制程序对弧焊逆变电源的IGBT采取相应措施进行保护，从而确保了IGBT安全可靠的工作。 叙词：IGB
- 关键字：技术保护IGBT逆变电源大功率电源
- 摘要：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是应用广泛的功率半导体器件，驱动器的合理设计对于IGBT的有效使用极为重要。本文就利用栅极电荷特性的考虑，介绍了一些计算用于开关IGBT的驱动器输出性能的方法。 叙词：IGBT，驱动
- 关键字：计算性能输出驱动器IGBT
- 新闻事件： 韩国LS与英飞凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 事件影响： 将使英飞凌和LSI得以加速进入高效能家电、低功率消费与标准工业应用等前景好的市场 LS预计于2010年1月在天安市的生产基地开始量产CIPOS模块 韩国LS Industrial Systems与英飞凌科技(Infineon)共同成立了一家合资公司──LS Power Semitech Co., Ltd，将聚焦于白色家电压模电源模块的研发、生产与行销。 合
- 关键字：英飞凌IGBTCIPOS射极控制二极管技术SOI
- 6月4日，为期3天的“PCIM China 2009”展会在上海光大会展中心落下帷幕。在展会期间，国内外知名功率半导体厂商向与会观众展示了众多新产品和高能效解决方案;同时，参展企业也纷纷表示对中国功率半导体的市场前景充满信心。 新产品亮相PCIM展 一年一度的PCIM展是功率半导体领域的盛会，同时也是业内企业展示新技术、新产品的舞台。在今年的展会上，英飞凌推出IGBT(绝缘栅双极晶体管)MIPAQ base模块，该模块是变频器的核心部件。在传统的变频器中，通常要在I
- 关键字：英飞凌IGBTDIPIPM
绝缘栅双极型晶体管(igbt)介绍
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