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东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性,因此与标准系统相比,它们集成了更多的器件,需要更多的表贴空间。所以,要进一步缩小汽车设备的尺寸,需要能够在高电流密度下表贴的功率MOSFET。XPJR6604PB和XPJ1R004
  • 关键字:东芝车载40VN沟道功率MOSFET
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车载40v介绍

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